場效應(yīng)晶體管90476

1、概述概述場效應(yīng)晶體管：英文名稱為FieldEffectTransist，縮寫為FET，簡稱場效應(yīng)管。各類場效應(yīng)管根據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體材料，可分為N型溝道和P型溝道兩種。所謂溝道，就是電流通道。半導(dǎo)體的場效應(yīng)，是在半導(dǎo)體表面的垂直方向上加一電場時，電子和空穴在表面電場作用下發(fā)生運動，半導(dǎo)體表面載流子的重新分布，因而半導(dǎo)體表面的導(dǎo)電能力受到電場的作用而改變，即改變?yōu)榧与妷旱拇笮『头较颍梢钥刂瓢雽?dǎo)體表面層中多數(shù)載流子的濃度和類型，或控制

2、PN結(jié)空間電荷區(qū)的寬度，這種現(xiàn)象稱半導(dǎo)體的場效應(yīng)。場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有如下特點：（1）輸入阻抗高；（2）輸入功耗??；（3）溫度穩(wěn)定性好；（4）信號放大穩(wěn)定性好，信號失真??；（5）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。根據(jù)構(gòu)造和工藝的不同，場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管圖十一(a)是結(jié)

3、型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖十一(b)是N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場效應(yīng)管的電路符號。在兩個高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很?。?yīng)管有多種類型，目前應(yīng)用最廣泛的一種是以二氧化硅（SiO2）為絕緣層的金屬一氧化物一半導(dǎo)體（MeialOxideSemiconduct）場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管（MOSFET）。它也有N溝道和P溝道兩類，每類按結(jié)構(gòu)不同又分為增強型和耗盡型。一、增強型一、增強型MOS管1結(jié)構(gòu)與符號結(jié)構(gòu)與符號圖Z01