功率MOSFET封裝熱阻的分析及改進(jìn).pdf_第1頁(yè)
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1、隨著半導(dǎo)體功率器件和封裝產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率MOSFET發(fā)展趨勢(shì)朝向大功率、小尺寸、更快速及散熱更好。而提高散熱性能最重要的途徑是降低產(chǎn)品熱阻。本文主要研究了功率MOSFET封裝散熱材料和結(jié)構(gòu)、封裝熱阻的物理意義以及測(cè)量技術(shù)，對(duì)如何改進(jìn)封裝熱阻進(jìn)行了詳細(xì)的分析。
　　 在廣泛調(diào)研的基礎(chǔ)上，本文對(duì)SO-8 MOSFET器件的封裝熱阻改進(jìn)的原理、設(shè)計(jì)、模擬、制備流程、測(cè)試進(jìn)行了較全面的研究，以業(yè)界SO-8先進(jìn)改進(jìn)結(jié)構(gòu)為參考，提出來(lái)適

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