α-Al-,2-O-,3-(0001)表面吸附AlN的模擬研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、四川師范大學碩士學位論文αAlO(0001)表面吸附AlN的模擬研究姓名:馮玉芳申請學位級別:碩士專業(yè):材料學指導教師:楊春20090405四川師范大學碩士學位論文后,A1的最外層部分電子明顯地轉移到了基片表面,(A1)NA1化學鍵表現出離子鍵特征,同時A1O(基片)化學鍵也有明顯的離子鍵成分。另外,通過吸附前后原子的布居分析和局域態(tài)密度分析,從吸附能量和吸附位置來看,有利于A13s軌道與表面相鄰的3個O原子2p軌道產生sp3雜化,形成

2、四面體配位,從而有利于A1N薄膜的鉛鋅礦結構形成。同時模擬計算了AIN分子在藍寶石表面不同溫度下的吸附與擴散過程,重點分析了溫度對吸附過程、體系能量變化、表面粒子擴散以及對薄膜生長的影響。溫度越高,粒子的平均能量越大,粒子平均擴散能力增強:在整個吸附生長中,N的擴散系數(29X104m2s。)明顯大于Al的擴散系數(1210母m卜s1),尤其是在物理吸附間段;在擴散初始階段,吸附擴散為主導作用,而在較高溫度條件下(大于700c),N的解

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