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文檔簡介
1、超大規(guī)模集成電路中器件密度的提高、特征線寬的減小導致互連線之間的阻容耦合不斷增大,從而使信號傳輸延時、功耗增大、噪聲增大。為了解決這些問題,用低介電常數(shù)(10w-k)和超低介電常數(shù)(ultralow-k,k<2)材料替代傳統(tǒng)的SiO2層間絕緣介質(zhì),成為可能的選擇。作為低七和超低k材料中最有前景的候選者,多孔超低k的SiCOH材料受到廣泛關(guān)注。
作為應用于超大規(guī)模集成電路中的低k材料,SiCOH薄膜的刻蝕研究極其重要。為實現(xiàn)
2、SiCOH薄膜刻蝕的精確控制,要求刻蝕時的碳氟等離子體是富含F(xiàn)的等離子體,并且離子能量可以獨立控制。因此,本文采用發(fā)射光譜診斷方法,研究了SiCOH低k材料刻蝕中選用的C2F6及C4F8氣體的雙頻電容耦合放電等離子體特性,并和CHF3的雙頻電容耦合放電等離子體特性進行了比較。主要研究了C2F6及C4F8氣體的雙頻電容耦合放電等離子體中F、CF2基團密度以及F/CF2比隨高頻功率、低頻功率、放電氣壓的變化關(guān)系。比較了C2F6和C4F8與C
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