硅基發(fā)光材料的光致發(fā)光和電致發(fā)光研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文采用射頻磁控濺射方法制備了Si-SiO<,2>薄膜、Ge-SiO<,2>薄膜以及相應的摻Al的Si-SiO<,2>薄膜和Ge-SiO<,2>薄膜,測量了它們室溫下的光致發(fā)光（PL）譜和電致發(fā)光（EL）譜,采用XPS、XRD、FTIR對薄膜的結(jié)構(gòu)和組分進行了表征.結(jié)合PLE譜和薄膜結(jié)構(gòu)以及退火對發(fā)光峰位影響方面的分析,認為光發(fā)射均是通過薄膜基質(zhì)中的發(fā)光中心實現(xiàn)的,有的發(fā)光也與類似納米顆粒的原子團簇有關(guān).從對應的發(fā)光中心的激發(fā)能角度解

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