結(jié)構(gòu)無序二維光子晶體的光學特性.pdf

1、　　本文將用時域有限差分(FDTD)法研究結(jié)構(gòu)部分無序二維光子晶體的光學特性。采用完全匹配層(PML)吸收邊界條件來截斷計算區(qū)域，用Matlab語言編制了理想二維光子晶體和部分無序二維光子晶體光學特性等有關研究問題的數(shù)值模擬計算程序。
　　對于結(jié)構(gòu)部分無序二維光子晶體，介質(zhì)柱的位置和大小無序都對光子晶體的高頻透射特性都有影響而對低頻幾乎無影響；隨著無序度增大，禁帶呈現(xiàn)拓寬的趨勢。僅介質(zhì)柱的位置無序變化時，每個帶隙低頻端邊緣比高頻

2、端邊緣對無序度變化更敏感；僅介質(zhì)柱的大小無序變化時，每個帶隙間的通帶頻率越高對無序度變化越敏感。介質(zhì)柱的大小無序和位置無序度相同時，在高頻段后者比前者作用更顯著。
　　對于結(jié)構(gòu)部分無序二維光子晶體波導，介質(zhì)柱的位置和大小無序?qū)庾泳w波導的透射特性都有影響。僅當它的位置無序變化時，高頻段缺陷帶對無序度最敏感；僅當它的大小無序變化時，處于低頻段缺陷帶的高頻端對無序度更敏感。當它的位置和大小都無序變化時，它的透射特性比僅因位置無序或

3、大小無序影響更顯著。
　　對于含點缺陷二維光子晶體，相同材料構(gòu)成且散射體的直徑和晶體晶格常數(shù)相同不同二維光子晶體微腔，它們的諧振頻率與點缺陷的位置無關，也與晶體的周期個數(shù)無關。但微腔內(nèi)的場強分布不僅與點缺陷的位置有關，也與晶體的周期個數(shù)有關。當晶體的周期個數(shù)相同時，場強分布隨點缺陷的位置變化而變化。點缺陷的位置離光源越近，微腔內(nèi)的場強越大。當缺陷位置相同時，隨著周期個數(shù)增加，該微腔內(nèi)的諧振頻率場強也增大。但周期個數(shù)增大到11以上