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1、隨著晶體技術(shù)的發(fā)展,如金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積、分子束外延等先進(jìn)材料生長方法的相繼出現(xiàn),人們能生長出各種形狀和結(jié)構(gòu)的低維量子體系,如圓柱形、方形量子阱、量子線、量子點(diǎn)等。由于在這種非均勻的強(qiáng)束縛的量子點(diǎn)體系中,電子波函數(shù)可以根據(jù)體系的結(jié)構(gòu)進(jìn)行人為的調(diào)節(jié),同時(shí),聲子的受限使得系統(tǒng)中的聲子模變得相當(dāng)復(fù)雜,所以有必要對(duì)此類體系中的聲子模及極化子效應(yīng)進(jìn)行系統(tǒng)的研究。本文主要研究了半導(dǎo)體圓柱形環(huán)狀量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的聲子模并在此基礎(chǔ)上討論了其中的極化子效
2、應(yīng)。 本文的第一章概述了異質(zhì)結(jié)、量子阱及低維量子體系的一般特征,并對(duì)低維量子體系中的聲子模及極化子效應(yīng)研究的現(xiàn)狀進(jìn)行了綜述,最后對(duì)半導(dǎo)體圓柱形環(huán)狀量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的理論與實(shí)驗(yàn)工作作了簡(jiǎn)要的介紹,提出了本論文的研究方向。 在第二章中,推導(dǎo)了自由表面的圓柱形環(huán)狀量子點(diǎn)中的縱光學(xué)聲子振動(dòng)模。低維極性材料在使其中得電子受限的同時(shí),聲子也相應(yīng)地受到限制,具體的聲子振動(dòng)模與低維系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)有密切關(guān)系。在介電連續(xù)近似下,從Maxwell方程
3、組及晶格動(dòng)力學(xué)方程出發(fā),我們推導(dǎo)了體系的各種光學(xué)聲子模,并將聲子場(chǎng)進(jìn)行了量子化,得到各種聲子模的哈密頓及其Fr
4、近。類體模的頻率不存在色散,而項(xiàng)表面模和側(cè)表面模的頻率則隨著量子數(shù)增加而迅速趨向于同一個(gè)固定值,該值介于橫光學(xué)模和縱光學(xué)模的頻率之間,且該值與量子點(diǎn)中表面模頻率所趨向的值是相同的。 在論文的第三章,我們?cè)诘诙碌玫降穆曌幽<半?聲相互作用的基礎(chǔ)上,引進(jìn)材料參數(shù),采用微擾理論分別對(duì)體系的極化子的結(jié)合能進(jìn)行了數(shù)值計(jì)算,結(jié)果顯示,在量子環(huán)內(nèi)半徑較小,外半徑較大時(shí)(這樣取值的目的是為了方便與體材料的情形進(jìn)行比較),隨著高度增加,類體模的
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