稀土化合物納米結構的可控制備及性能研究.pdf

1、利用化學共沉積原理，輔之負壓抽濾技術，在AAO模板孔道內合成了GdCoxOy納米管和納米線陣列及GdCoxOy∶Eu、LaF3∶ Eu納米管陣列，并對其形貌、結構、組成及性能進行了研究，研究結果如下:
　　1.在AAO模板中可控合成了不同形貌和不同直徑的GdCoxOy一維納米陣列。研究了可控制備GdCoxOy一維納米陣列的影響因素。結果表明:GdCoxOy納米管和納米線陣列尺寸均勻一致，都是非晶態(tài)結構;對其摻雜熒光激活劑Eu3+，

2、獲得較強熒光特性。研究了不同形貌和不同尺寸的納米材料對其熒光性能的影響，結果表明:40～70nm GdCoxOy∶ Eu納米管熒光性能最優(yōu)。
　　2.在AAO模板中合成了GdCoxOy∶Eu納米管陣列。通過掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、能量色散譜(EDS)、X-射線衍射(XRD)、選區(qū)電子衍射儀(SAED)及熒光分光光度計(PL)對GdCoxOy∶Eu納米管的形貌、結構、組成及熒光性能進行了表征。結果表明:

3、GdCoxOy∶Eu納米管陣列尺寸均勻一致，其為非晶態(tài)結構，GdCoxOy∶Eu納米管由Gd，Co，O和Eu四種元素組成，其摩爾比n(Gd)∶ n(Co)∶ n(O)∶ n(Eu)=9.80∶1.14∶88.14∶0.92;在394nm的光激發(fā)下，GdCoxOy∶Eu納米管陣列在593nm有一個強的發(fā)射峰，對應于Eu3+的5D0-7F1躍遷，710nm處弱的發(fā)射峰，對應于Eu3+的5D0-7F4躍遷，Eu3+摻雜濃度為3％時熒光強度最大