原子層沉積在復(fù)雜光學(xué)表面的應(yīng)用.pdf

1、原子層沉積(ALD)，是一種通過連續(xù)的飽和表面自限制反應(yīng)沉積成膜的技術(shù)。相比傳統(tǒng)制備技術(shù)得到的薄膜，原子層沉積制備薄膜具有優(yōu)越的復(fù)形性、均勻性和致密性等特點，因此在復(fù)雜形貌表面制備高質(zhì)量光學(xué)薄膜方向具有很大的潛力。本文圍繞原子層沉積制備薄膜的優(yōu)異特性進(jìn)行展開，分別對氧化物薄膜和金屬銥薄膜進(jìn)行了研究分析，工作主要涉及以下內(nèi)容:
　　首先進(jìn)行了原子層沉積和傳統(tǒng)光學(xué)薄膜制備技術(shù)的比較，深入理解了原子層沉積的機(jī)理和技術(shù)特性，詳細(xì)探討了影響

2、原子層沉積效果的因素:前驅(qū)體的選取，表面化學(xué)，反應(yīng)溫度，反應(yīng)腔內(nèi)流體力學(xué)等。同時闡述了目前原子層沉積制備薄膜的特殊應(yīng)用。
　　原子層沉積制備氧化物薄膜的研究。先從Al2O3和TiO2單層膜特性展開，通過對薄膜樣品的反射率測量、橢偏測試和計算分析，得到了薄膜樣品的光學(xué)常數(shù)和原子層沉積生長速率，驗證了ALD沉積薄膜優(yōu)異的均勻性和致密的特性。在此基礎(chǔ)上，將其應(yīng)用于石英管內(nèi)壁減反膜和鈣鈦礦太陽能電池水氣阻隔層的制備，并達(dá)到設(shè)計要求。