室溫下銅表面上單個二氯酞菁錫分子的可控操縱研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、基于室溫下單個二氯酞菁錫分子在銅(100)表面上具有兩種等價的吸附取向,本文利用超高真空掃描隧道顯微鏡(STM)針尖,通過Z(V)縱向操縱模式可對單個二氯酞菁錫分子的吸附取向進行原位切換,從而實現(xiàn)了對該分子吸附取向的調(diào)控;而且通過對單個二氯酞菁錫分子不同的部位進行縱向操縱,還能夠驅(qū)使單個二氯酞菁錫分子在銅(100)表面做定向運動,其運動距離為表面的銅原子晶格的倍數(shù)?;诳v向操縱時掃描隧道顯微鏡針尖與標(biāo)記分子之間的距離的分析,本文認為針尖

2、與分子間的排斥力是實現(xiàn)該操縱作用力的主要來源。本文利用該操作方式不僅構(gòu)建了納米尺度的分子存儲原型器件,而且組裝了最小尺寸的南昌大學(xué)英文校名縮寫。
  通過該可控操縱技術(shù),本文研究了分子排列形式對單個二氯酞菁錫分子的分子取向的影響。實驗結(jié)果揭示出位于三分子體系中間的分子的吸附取向可藉由其他兩個分子的吸附取向進行調(diào)控。理論計算進一步證實了該非接觸式調(diào)控來源于其最近鄰距離分子吸附狀態(tài)對單個分子的吸附能量的影響?;谠摪l(fā)現(xiàn),本文通過不同分

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