版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、量子點(diǎn)(QDs)是由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素組成的半徑小于或接近激子波爾半徑的半導(dǎo)體納米晶。CdTe熒光量子點(diǎn)具有獨(dú)特的光學(xué)特性而備受研究者的關(guān)注。目前合成高性能的CdTe熒光量子點(diǎn)的方法比較苛刻,比如需要在高溫200℃及高毒性TOP為穩(wěn)定劑的條件下完成。本課題采用液液法合成油相中分散的CdTe量子點(diǎn),此方法反應(yīng)條件溫和,易于控制,反應(yīng)所用穩(wěn)定劑毒性低,與傳統(tǒng)方法相比具有很大的優(yōu)勢(shì)。本文著重研究了反應(yīng)物的濃度,添加劑的量,有機(jī)溶劑等手段對(duì)
2、CdTe量子點(diǎn)制備的影響。同時(shí)采用不同的方法對(duì)油相的CdTe熒光量子點(diǎn)進(jìn)行功能化修飾,并初步嘗試了利用CdTe量子點(diǎn)作為探針對(duì)卡托普利藥物含量進(jìn)行測(cè)定。本文主要的研究成果簡(jiǎn)述如下:(1)采用液液法成功制備了油相的CdTe熒光量子點(diǎn),CdTe熒光量子點(diǎn)的粒徑在2.1 nm,其熒光量子效率最高達(dá)70.2%(以Rdm 560水溶液為基準(zhǔn)計(jì)算)。通過(guò)多種手段考察了合成條件對(duì)量子點(diǎn)的影響,[Cd2+]/[Te2-]的濃度比在2:1、H2O/CH3
3、OH的體積比值在2:1、有機(jī)試劑為甲苯、反應(yīng)溫度為60℃、油酸的量為1mL的條件下制備的CdTe量子點(diǎn)的發(fā)光性能最佳。(2)本文采用配位交換法及環(huán)糊精包合法對(duì)CdTe熒光量子點(diǎn)進(jìn)行功能化修飾。配位交換法是以PAA為修飾劑對(duì)油相的CdTe熒光量子點(diǎn)進(jìn)行修飾,考察PAA的加入量了對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光性能的影響,得到的水相CdTe量子點(diǎn)平均粒徑在5 nm。同時(shí)對(duì)PAA修飾前后CdTe量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度作了比較,結(jié)果表明經(jīng)PAA修飾的熒光量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度
4、比油相的CdTe量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度強(qiáng)。環(huán)糊精包合法是以β-環(huán)糊精為修飾劑對(duì)油相CdTe熒光量子點(diǎn)進(jìn)行修飾,得到的CdTe水相量子點(diǎn)包合物粒徑在100 nm左右,CdTe包合物的發(fā)光性能比油相的CdTe量子點(diǎn)的發(fā)光性能差。(3)采用修飾后的CdTe熒光量子點(diǎn)作為探針,根據(jù)量子點(diǎn)熒光淬滅原理,對(duì)卡托普利藥物含量進(jìn)行測(cè)定。主要繪制了卡托普利藥物含量與量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)曲線,此方法顯示卡托普利的濃度為0.19~3.2 mg.mL-之間呈線性關(guān)系
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 水溶性熒光量子點(diǎn)的合成及修飾.pdf
- 熒光量子點(diǎn)合成及應(yīng)用研究.pdf
- 熒光量子點(diǎn)修飾燈塔探針的研究.pdf
- 熒光量子點(diǎn)的制備及應(yīng)用研究.pdf
- 錳修飾CdTe量子點(diǎn)的合成及作為生物探針的應(yīng)用.pdf
- 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成、光量子效應(yīng)和表面修飾.pdf
- CdTe量子點(diǎn)的合成、組裝及其在熒光分析中的應(yīng)用.pdf
- CdTe和CdTeSe量子點(diǎn)的水相合成及熒光傳感.pdf
- 32284.poss修飾的高生物相容性cdte和cdsete熒光量子點(diǎn)的制備及其應(yīng)用研究
- 巰基丙酸修飾的CdTe@ZnS量子點(diǎn)的合成及其分析應(yīng)用.pdf
- CdTe量子點(diǎn)的合成及其基于熒光淬滅作用的分析應(yīng)用.pdf
- CdS、CdTe量子點(diǎn)的合成、表征及分析應(yīng)用.pdf
- 含Ag發(fā)光量子點(diǎn)的合成表征及應(yīng)用.pdf
- 熒光量子點(diǎn)和磁性納米材料的水相合成
- 強(qiáng)熒光量子點(diǎn)的合成、性質(zhì)及其在生物標(biāo)記方面的應(yīng)用.pdf
- CdTe量子點(diǎn)熒光探針的合成、表征及其在分析中的應(yīng)用.pdf
- GSH-TGA共修飾CdTe量子點(diǎn)的合成及在生物分析中的應(yīng)用.pdf
- 半導(dǎo)體熒光量子點(diǎn)的合成及其閃爍行為調(diào)控.pdf
- 熒光量子點(diǎn)和磁性納米材料的水相合成.pdf
- 長(zhǎng)熒光壽命CdTe與CdTe-CdS量子點(diǎn)的水相合成及性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論