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文檔簡介
1、由于光折變效應有很多優(yōu)點,所以其有著廣泛的應用領域,因此人們在不斷地對其進行深入的研究。在光折變介質(zhì)中研究磁光相互作用(磁光折變效應)是了解介質(zhì)參數(shù)及性能的手段之一,對磁場感應霍爾光電流的研究是研究光生伏打效應的一種有效的方法。 鈮酸鋰晶體是一種非常優(yōu)良的光折變晶體,因此它已在光波導、電光調(diào)制器、倍頻轉(zhuǎn)換、全息存儲等方面取得廣泛的應用。本文主要介紹摻雜鈮酸鋰晶體中的磁光伏效應,實驗研究了不同摻雜鈮酸鋰晶體在磁場下的光折變特性。
2、 本文實驗研究了波矢K垂直c軸,e光和o光耦合等四種配置下,不同摻雜(LN:Fe0.05wt%、LN:Fe:0.025wt%、LN:Fe0.01wt%、LN:Ce0.1mol%、LN:Cu:CeCu:0.045wt%Ce:0.045wt%、LN:Fe:CeFe:0.02mol%Ce:0.1mol%、LN:Fe:MgFe:0.05wt%Mg:4mol%)鈮酸鋰晶體在磁場下的光折變二波耦合特性,并與無磁場下的光折變二波耦合進行對比。
3、 通過對比飽和衍射效率,我們發(fā)現(xiàn)了四種配置下各個樣品磁光折變效應都比較明顯: 1、在→K上c,oe光耦合配置下,磁場對LN:Fe:0.025wt%樣品與LN:Cu:CeCu:0.045wt%Ce:0.045wt%樣品的光折變效應在磁場為某一方向上增強,另一方向上抑制,磁場對LN:Fe:CeFe:0.02mol%Ce:0.1mol%樣品的光折變效應在兩個方向上都有明顯的增強,對LN:Fe:MgFe:0.05wt%Mg:4mo
4、l%樣品的光折變效應在兩個方向上都有明顯的抑制; 2、在→K∥c,oe光耦合配置下,磁場對七塊晶體的光折變二波耦合抑制很明顯,飽和衍射效率減小得很多,減小一個到幾個數(shù)量級; 3、在→K∥c,ee光耦合配置下,磁場對七塊樣品的光折變效應均有著明顯的抑制作用,飽和衍射效率都有所降低,但是不象→K∥c,oe光耦合配置下抑制的那么嚴重; 4、在→K∥c,oo光耦合配置下,對于LN:Fe0.05wt%、LN:Fe:0.02
5、5wt%、LN:Fe0.0lwt%、LN:Ce0.1mol%和LN:Cu:CeCu:0.045wt%Ce:0.045wt%樣品磁場對光折變效應有著明顯的抑制作用,飽和衍射效率都明顯降低了,而對于LN:Fe:CeFe:0.02mol%Ce:0.1mol%樣品磁場為(B,0,0)時抑制光折變效應,當磁場為(-B,0,0)時增強光折變效應,對于LN:Fe:MgFe:0.05wt%Mg:4mol%樣品磁場對光折變效應有明顯的增強。 研究
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