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文檔簡(jiǎn)介
1、首先本文在第一章中介紹了低維半導(dǎo)體量子點(diǎn)在國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀,背景和意義.第二章具體介紹了諧振子乘積基展開(kāi)法,推導(dǎo)了二維N體系統(tǒng)的Talmi-Moshinsky變換系數(shù).然后考慮處于外磁場(chǎng)中被拋物勢(shì)約束的N層單電子垂直耦合量子點(diǎn)系統(tǒng),即每層量子點(diǎn)僅含一個(gè)電子,寫(xiě)出了該系統(tǒng)的哈密頓量,從理論上獲得了二維N層單電子垂直耦合量子點(diǎn)能量矩陣元的計(jì)算公式.第三章研究雙層單電子垂直耦合量子點(diǎn)系統(tǒng)在不同自旋(自旋單態(tài)和自旋三態(tài))和不同耦合強(qiáng)度(單個(gè)量子
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