多晶硅生產(chǎn)過(guò)程金屬雜質(zhì)影響因素研究.pdf

1、多晶硅多晶硅生產(chǎn)過(guò)程金屬雜質(zhì)影響因素生產(chǎn)過(guò)程金屬雜質(zhì)影響因素研究研究Researchtotheinfluentialfactsofmetalimpurityintheprocessofpolysiliconproduction學(xué)科專業(yè)：化學(xué)工程研究生：羅瑜指導(dǎo)教師：李國(guó)兵教授天津大學(xué)化工學(xué)院二零一六年二月摘要隨著自然環(huán)境的污染、生態(tài)環(huán)境的破壞及可用資源的枯竭等問(wèn)題日趨嚴(yán)重，開拓、推廣并高效利用干凈環(huán)保的可再生能源已經(jīng)成為社會(huì)矚目的核心。

2、太陽(yáng)能是一種取之不盡、用之不竭的可再生能源，對(duì)環(huán)境沒有一點(diǎn)污染，完全符合當(dāng)前節(jié)能減排的環(huán)保要求，其中以太陽(yáng)能為主的光伏發(fā)電最受關(guān)注。太陽(yáng)能光伏電池的主要原料之一就是晶體硅。多晶硅中的金屬雜質(zhì)主要來(lái)源有兩種，一種是原料帶來(lái)的，一種是由于鑄造過(guò)程中的坩堝污染造成的。其中，原料多晶硅中的金屬雜質(zhì)含量占主要部分。多晶硅的金屬雜質(zhì)包括表金屬雜質(zhì)和體金屬雜質(zhì)。體金屬主要來(lái)源于生產(chǎn)多晶硅產(chǎn)品的物料，容易通過(guò)精餾方法將其他元素去除，但無(wú)法完全去除，只能

3、盡可能的降低。外界環(huán)境的其他元素落入多晶硅表面，我們稱之為多晶硅料的表面金屬雜質(zhì)。多晶硅表面金屬雜質(zhì)主要包含Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、W、Pb，共計(jì)16種元素。而表面金屬雜質(zhì)來(lái)源為環(huán)境、人員、輔材，主要發(fā)生在硅料的存儲(chǔ)、破碎、包裝環(huán)節(jié)。本文使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀檢測(cè)各關(guān)鍵過(guò)程及接觸物質(zhì)對(duì)多晶硅表金屬雜質(zhì)含量的影響，尤其是包裝材料帶來(lái)的影響。通過(guò)研究分析發(fā)現(xiàn)，特殊材料的析出雜質(zhì)比