基于Mn摻雜ZnSe半導(dǎo)體納米晶的復(fù)合薄膜的物性研究.pdf

1、半導(dǎo)體納米晶通常也被稱之為量子點(diǎn)。在過(guò)去的幾十年中，得益于其獨(dú)特的光學(xué)性能，量子點(diǎn)在發(fā)光二極管、生物標(biāo)記、熒光太陽(yáng)能聚光器等領(lǐng)域備受關(guān)注。本文主要專注于基于Mn摻雜ZnSe量子點(diǎn)制備而成的復(fù)合薄膜的相關(guān)物性研究。
　　最初，量子點(diǎn)被直接用于合成復(fù)合薄膜，但是因在聚合過(guò)程中的復(fù)雜環(huán)境對(duì)量子點(diǎn)的負(fù)面影響導(dǎo)致最終效果不甚理想，其光學(xué)性能下降明顯。為了解決此類問(wèn)題，本文首先使用熱注射法在高沸點(diǎn)有機(jī)溶劑中合成Mn摻雜ZnSe量子點(diǎn)，然后采用

2、兩種方式對(duì)Mn摻雜ZnSe量子點(diǎn)進(jìn)行后期處理后再將量子點(diǎn)分散于有機(jī)聚合物單體中，最終制備成復(fù)合薄膜。
　　方式一是在制備Mn摻雜ZnSe量子點(diǎn)的后期加入十二硫醇進(jìn)行處理。然后將經(jīng)過(guò)處理的量子點(diǎn)制備成復(fù)合薄膜。在經(jīng)過(guò)1 mL的十二硫醇處理過(guò)的量子點(diǎn)本身的量子效率從61.5％增加到75.6%，量子效率增加了14.1%，而復(fù)合薄膜的量子效率從35.4%增加到67.1%，量子效率增加了31.7%。顯示這種處理方式在增強(qiáng)量子點(diǎn)本身量子效率的

3、同時(shí)，還保護(hù)了量子點(diǎn)在合成復(fù)合薄膜材料時(shí)外界條件對(duì)量子點(diǎn)量子效率的不利影響，而且這種處理方式不會(huì)改變發(fā)射峰和吸收峰的位置，適合用于對(duì)光譜波長(zhǎng)有特殊要求的方案。
　　方式二是在制備Mn摻雜ZnSe量子點(diǎn)的后期依次加入S的前驅(qū)體和Zn的前驅(qū)體，使得在Mn摻雜ZnSe量子點(diǎn)外部包覆ZnS，再使用十二硫醇處理。然后將經(jīng)過(guò)處理過(guò)的量子點(diǎn)制備成復(fù)合薄膜。在這樣處理方式中，ZnS在單體聚合過(guò)程中起到保護(hù)內(nèi)部的Mn摻雜ZnSe的作用。復(fù)合薄膜的量