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1、分子印跡技術(shù)是制備對(duì)目標(biāo)分子具有專(zhuān)一識(shí)別性能的高分子合成技術(shù),其核心是分子印跡聚合物。分子印跡聚合物具有預(yù)定性、識(shí)別性、選擇性等三大特性。
本項(xiàng)研究將分子印跡技術(shù)與可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移聚合方法相結(jié)合,在球形硅膠、磁性硅球、磁性熒光硅球及氧化石墨烯等不同載體表面接枝分子印跡聚合物膜,合成了具有強(qiáng)磁響應(yīng)性、熒光性和高傳質(zhì)速率等性能的多功能分子印跡聚合物。通過(guò)透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡、熒光顯微鏡、傅立葉紅外光譜儀、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)
2、計(jì)、熱重分析儀和比表面分析儀等對(duì)各種功能性分子印跡聚合物進(jìn)行了結(jié)構(gòu)分析表征,并研究了它們對(duì)水環(huán)境中內(nèi)分泌干擾物的去除與識(shí)別機(jī)制。
以球形硅膠為載體,制備了表面具有納米結(jié)構(gòu)的“核-殼”式分子印跡聚合物微球。吸附實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:吸附符合動(dòng)力學(xué)二級(jí)反應(yīng)模型,吸附規(guī)律較好的符合 Langmuir吸附等溫式;所制備的印跡聚合物微球?qū)δ0宸肿颖憩F(xiàn)出了較強(qiáng)的親和力和較優(yōu)的選擇性。通過(guò)密度泛函理論模擬計(jì)算,對(duì)分子印跡聚合物微球的選擇性識(shí)別機(jī)制進(jìn)
3、行了理論分析。
以磁性硅球?yàn)檩d體,制備了磁性分子印跡聚合物微球。該微球表面分子印跡聚合物膜的厚度約為22nm。所制備的磁性印跡聚合物微球?qū)δ0宸肿泳哂休^強(qiáng)的吸附結(jié)合能力和優(yōu)異的分子選擇識(shí)別性能,重復(fù)使用五次依然表現(xiàn)出較好的親和力和選擇性。產(chǎn)物所具有的磁響應(yīng)性(Ms=0.41eum/g)能夠使其在外加磁場(chǎng)作用下,快速地從樣品中分離出來(lái)。
以磁性熒光硅球?yàn)檩d體,制備了磁性熒光分子印跡聚合物微球,該微球表現(xiàn)出磁響應(yīng)性、熒光
4、性能和熱穩(wěn)定性。微球中熒光層的厚度約為8.7nm,表面分子印跡聚合物膜厚度約為5.7nm。采用熒光分析法可使模板分子的檢測(cè)限達(dá)到0.19μmol/L,該微球重復(fù)使用五次后依然具有較好的熒光強(qiáng)度和磁性能。此外,根據(jù)Stem-volmer方程分析了產(chǎn)物的熒光減弱過(guò)程屬于靜態(tài)淬滅機(jī)理。
以氧化石墨烯為載體,制備了氧化石墨烯基分子印跡聚合物復(fù)合材料。該復(fù)合材料中表面分子印跡聚合物膜的厚度約為3.707nm。吸附實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:制備的復(fù)合
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