基于GaAs PHEMT工藝的射頻及邏輯電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展，基于GaAs PHEMT工藝的單片微波集成電路(MMIC)已經(jīng)成為微波領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。在衛(wèi)星通訊、雷達(dá)系統(tǒng)、測(cè)試系統(tǒng)和導(dǎo)航系統(tǒng)中，低噪聲放大器是不可或缺的部分，低噪聲放大器的噪聲性能、增益和線性度等指標(biāo)直接影響了接收機(jī)的性能;基于GaAs PHEMT結(jié)構(gòu)的邏輯串并轉(zhuǎn)換電路集成在T/R組件中，可以減小整個(gè)T/R組件的尺寸，并且提高其易用性和經(jīng)濟(jì)性。本文基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了兩種低噪聲放大

2、器和用于T/R組件的串并轉(zhuǎn)換邏輯電路，論文主要工作如下:
　　第一、第二章介紹了低噪聲放大器與T/R邏輯控制電路的研究背景與發(fā)展現(xiàn)狀，以及噪聲及低噪聲放大器的基本理論。
　　第三章介紹了一款S波段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)流程，完成了整體電路的原理圖和版圖的優(yōu)化仿真。最后對(duì)芯片進(jìn)行了流片測(cè)試，放大器實(shí)測(cè)增益＞31dB，噪聲系數(shù)＜0.7dB，電流30mA。
　　第四章介紹了一款18-40GHz寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程，完成了整

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