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文檔簡介
1、該研究工作嘗試了幾種改善碳納米管薄膜場致發(fā)射性能的方法,研究了沉積工藝參數(shù)等對碳納米管薄膜場致電子發(fā)射特性的影響規(guī)律,得到了一些新的研究結(jié)果.在此基礎(chǔ)上,利用在不銹鋼襯底上制備的碳納米管薄膜作為陰極研制了三極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光管.1)刻線鎳膜上沉積的碳納米管場發(fā)射特性研究利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法,在刻線的鎳膜上沉積了碳納米管膜.通過掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射光譜(XRD)和拉曼光譜表征
2、研究了其微觀結(jié)構(gòu),并討論了催化劑厚度、制備溫度、反應(yīng)時間以及甲烷濃度對碳納米管質(zhì)量和場發(fā)射性能的影響.2)不銹鋼襯底直接沉積碳納米管薄膜的場發(fā)射特性研究利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法,在不外加催化劑的不銹鋼襯底上直接制備了碳納米管膜,研究了其場發(fā)射特性.3)碳納米管薄膜場發(fā)射器件制備的研究對碳納米管薄膜作為陰極的真空三極結(jié)構(gòu)發(fā)光管器件進行了初步研制.研究了器件結(jié)構(gòu)及場發(fā)射特性.研究證明了碳納米管薄膜是一種性能優(yōu)良的冷陰極
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