版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、納米材料由于其優(yōu)異的物理化學生物特性使得它們在實驗室中成為最火熱的研究領(lǐng)域。納米材料的合成技術(shù)是納米研究領(lǐng)域的基礎(chǔ),所以探究納米材料的合成的新方法是一項意義重大的研究。本文主要研究一維納米材料,主要是納米線和納米管兩大方面,一是一維納米材料的光電性能和柔性特性的研究,二是納米管合成的新方法和新工藝。
摻氮磷化銦通過化學氣相沉積法合成出來并分別在在硅片,PET薄膜和云母片上制造出單根納米線場效應晶體管和光電探測器。硅基場效應管的
2、開關(guān)比為822,載流子遷移率為43.6 cm2 v-1 s-1,遠高于其他文獻報道的數(shù)據(jù)。柔性摻氮磷化銦光電探測器具有很好地抗彎曲和延展特性,同時也發(fā)現(xiàn)了一種新型的無機柔性基底--云母片。最后制作了P3HT和磷化銦混合異質(zhì)結(jié)光電探測器,展現(xiàn)了更大的光電流。這些器件具有共同的特點,即可在小電壓下高性能地工作,說明摻氮磷化銦納米線具有節(jié)能環(huán)保的特點,是很有希望成為下一代納米光電器件的明星材料。
砷化鎘是一種重要的II-V族化合物半
3、導體材料,具有很大的載流子遷移率和遠紅外探測特性,由于其具有很低的生長溫度和熔沸點,也能夠作為納米管合成的內(nèi)部支撐材料。經(jīng)過探究,通過簡單的化學氣相沉積法能夠在砷化鎘納米線表面生長出CdS, CdSe, InP和InAs四種納米管,而且所用的工藝幾乎一樣。這項新的技術(shù)能夠通過使用更少的原材料從而降低成本,并提供一個猜想:是否存在一種方法就能合成盡可能多的納米管。這項技術(shù)還有一個特點就是能夠合成出一些其他方法合成不出來的新奇的結(jié)構(gòu)。最后,
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 基于二維納米材料的紅外光電探測器研究.pdf
- 噻吩-異靛藍聚合物-無機納米基光電探測器及器件研究.pdf
- 基于二維納米材料的高效光電探測器的研究.pdf
- 基于銻化鎵和硫化銻納米線光探測器件的光電特性研究.pdf
- 非晶InGaAs探測器材料光電特性研究.pdf
- 基于一維p型摻雜ZnO納米材料的光電器件研究.pdf
- SiC低維納米結(jié)構(gòu)光電探測器件研制及其性能研究.pdf
- 一維納米材料的制備及其光電特性研究.pdf
- 無機納米材料光電特性及應用研究.pdf
- 幾種一維無機納米結(jié)構(gòu)的光電性質(zhì).pdf
- 變組分AlGaAs-GaAs納米線光電探測器特性研究.pdf
- 石墨烯光電探測器件的制備及性能研究.pdf
- 一維半導體納米結(jié)構(gòu)可控制備及其光電探測器的研究.pdf
- 光電檢測光電探測器2012
- 有機納米薄膜器件的光電特性研究.pdf
- 一維半導體納米材料制備、性能及輻射探測器件研究.pdf
- 基于納米壓印ZnO光電探測器的制備及性能研究.pdf
- 一維納米結(jié)構(gòu)的ZnO光電探測性能研究.pdf
- 一維材料碳化硅納米線的光電特性研究
- 表面等離子體增強的基于一維半導體納米結(jié)構(gòu)的光電探測器研究.pdf
評論
0/150
提交評論