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文檔簡介
1、ZnSe作為重要的寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體,在蘭綠光發(fā)射器件、非線性光電器件、紅外器件以及薄膜太陽能電池等方面有著廣泛的應(yīng)用.而ZnSe薄膜材料又是這些應(yīng)用中的重點(diǎn),所以,ZnSe薄膜的制備一直是研究的熱點(diǎn).使用MBE和MOCVD方法制備ZnSe薄膜的工藝已經(jīng)比較成熟,但由于這兩種方法需要昂貴的設(shè)備和很高的運(yùn)行成本,所以不利于ZnSe薄膜制備技術(shù)的推廣和發(fā)展.該文的工作重點(diǎn)是探索更為靈活、廉價(jià)的ZnSe薄膜制備技術(shù).采用較為簡單的熱壁外延法
2、,在420℃的低溫下,在Si襯底上生長了ZnSe薄膜.提高生長溫度到700℃以上,得到了較高的薄膜生長速率.XRD結(jié)果顯示該薄膜為立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnSe多晶薄膜.采用改進(jìn)的溶劑熱法在225℃下,在處理后的Si片上生長了較為均勻、致密的ZnSe薄膜.XRD結(jié)果顯示,該薄膜為立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnSe多晶膜.研究了不同的襯底處理方法對(duì)薄膜生長的影響,得到了較為理想的襯底處理工藝.通過研究不同溫度、不同保溫時(shí)間對(duì)薄膜生長的影響,得到了優(yōu)化的薄
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