釓鎵石榴石的研磨與拋光工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、釓鎵石榴石(GGG)是一種性能優(yōu)良的激光晶體,被廣泛應用于固體激光器中,在大功率激光二極管泵浦技術及其支撐技術取得重大突破后,固體激光器正在由中小功率向大功率快速發(fā)展的今天,GGG晶體成為大功率激光器的首選晶體。GGG晶片作為激光晶體應用于固體激光器中,需要有合適的表面質量和平面度來達到較高的激光閾值,但是目前關于GGG晶片加工工藝的研究僅僅局限在某一特定加工方法的優(yōu)化,還沒有一套較為完整的加工工藝方案,本文對GGG晶片的研磨和拋光的工

2、藝條件與參數(shù)進行了研究與優(yōu)化,主要研究內容如下:
  (1)研究了GGG晶片的機械研磨工藝,將機械研磨分為粗研磨和精研磨兩道工序,通過改進粗研磨參數(shù)使GGG晶片在較高的加工效率下快速減薄,同時避免了碎片;通過單因素實驗對精研磨的工藝參數(shù)進行優(yōu)化,確定合適的研磨盤,研磨盤轉速和研磨載荷,兼顧表面粗糙度和平面度。
  (2)研究了GGG晶片的機械拋光工藝,對機械拋光中使用較細粒度(W1-W2.5)磨粒以及硬質拋光盤拋光時對晶片易

3、造成較大表面缺陷的問題,從磨粒硬度和粒度以及拋光模硬度的角度進行研究和分析,確定導致表面缺陷的根本原因在于拋光盤的硬度過高;通過軌跡計算和仿真,確定了使用偏心保持環(huán)在聚氨酯拋光墊上進行機械拋光的運動形式,并通過單因素實驗優(yōu)化了機械拋光的拋光轉速和拋光載荷,使平面度達到140nm,表面粗糙度RMS達到21.9nm。
  (3)研究了GGG晶片的化學機械拋光工藝,對化學機械拋光液中硅溶膠的濃度和pH值進行優(yōu)化,為了避免在化學機械拋光中

4、晶片的平面度發(fā)生惡化,采用硬度較高的IC1000聚氨酯拋光墊進行拋光,確定了拋光墊粘貼基底以及拋光墊平整度的測量與擬合方案,采用金剛石修整器并選用合適的修整參數(shù)對拋光墊進行修整,在進一步提高晶片表面粗糙度的基礎上,保證了拋光墊的面形,有效避免了在化學機械拋光中晶片平面度惡化。
  (4)確定了GGG晶片的組合加工工藝方案,通過該工藝可以高效地對GGG晶片進行加工,使其平面度達到276nm,表面粗糙度達到0.45nm,且對加工后晶片

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