鋁薄膜和鉛薄膜的電子生長(zhǎng)褪火對(duì)鉛薄膜穩(wěn)定性的影響、鉛薄膜中電子態(tài)及利用STM進(jìn)行原子操縱的研究.pdf

1、該文的工作主要是利用分子束外延技術(shù),掃描隧道顯微鏡和角分辨光電子能譜研究鋁薄膜的電子生長(zhǎng),褪火對(duì)鉛薄膜的影響,鉛薄膜中電子的量子阱態(tài),以及利用STM對(duì)原子進(jìn)行巨量操縱.在利用兩步生長(zhǎng)法制備原子量級(jí)上平的鋁薄膜的研究中,我們首先利用RHEED研究了低溫在Si(111)-7×7上沉積鋁薄膜的演化過(guò)程,利用STM得到此系統(tǒng)鋁薄膜的臨界厚度為4ML,通過(guò)分析指出薄膜中電子的量子阱態(tài)對(duì)薄膜的穩(wěn)定性起很大的作用,利用傳輸運(yùn)動(dòng)和漏斗效應(yīng)討論了薄膜生長(zhǎng)

2、的動(dòng)力學(xué)途徑,利用電子生長(zhǎng)模型從能量的角度解釋了臨界厚度.從生長(zhǎng)的過(guò)程,我們利用傳輸運(yùn)動(dòng)和漏斗效應(yīng)解釋了薄膜的臨界厚度,傳輸運(yùn)動(dòng)和漏斗效應(yīng)相互競(jìng)爭(zhēng)使得當(dāng)覆蓋度達(dá)到4ML時(shí)薄膜形成.從電子生長(zhǎng)的角度看,薄膜中電子的量子阱態(tài),界面處的電荷轉(zhuǎn)移,界面誘導(dǎo)的弗里德?tīng)栒袷幦齻€(gè)因素決定薄膜的穩(wěn)定性,于是薄膜超過(guò)某一厚度后穩(wěn)定,隨后穩(wěn)定厚度的薄膜以一定的周期振蕩,超過(guò)此厚度穩(wěn)定薄膜的厚度為臨界厚度,振蕩中相對(duì)穩(wěn)定的厚度是幻數(shù)厚度.我們實(shí)驗(yàn)得到,鋁硅系