碘化銫晶體的拋光研究.pdf

1、早在20世紀80年代,人們就發(fā)現(xiàn)了CsI(Tl)晶體在光學領域應用的優(yōu)點。隨著CsI(TI)應用領域的不斷拓展，如何獲得優(yōu)良的表面質量以滿足應用的需要就顯得十分重要。但是由于 CsI(TI)具有質軟、易水解、對溫度和光變化敏感等特點，這些特點對加工造成了一定的難度。傳統(tǒng)的加工方法是采用含有磨料的拋光液對材料表面進行超精密加工。雖然傳統(tǒng)加工方式因為有磨料存在的關系而能夠產(chǎn)生較大的材料去除率。但是固體磨料普遍分散性差而且易于發(fā)生黏結,會在表

2、面產(chǎn)生劃痕和凹坑,使被加工表面的拋光質量被惡化,降低材料的使用性能。因此在改進原有CsI(TI)晶體超精密加工方法的同時，也需要努力探索新的CsI(TI)晶體超精密加工技術，以滿足實際應用的需要。
　　本文提出一種利用水解作用對 CsI(TI)晶體進行超精密加工的新技術，即CsI(TI)晶體水解拋光技術。首先綜述了 CsI(TI)晶體的傳統(tǒng)加工技術和化學機械拋光的發(fā)展現(xiàn)狀，在此基礎之上，根據(jù)CsI(TI)晶體的易水解性質，并借鑒化

3、學機械拋光（CMP）中材料的去除機制，提出了CsI(TI)晶體水解拋光的新技術。
　　然后，對水解拋光的拋光液成分和配比進行了研究，得到了適合本加工技術的拋光液配方。通過CsI(TI)晶體水解拋光實驗，對拋光液水解作用的控制進行了驗證，并檢驗了所研制拋光液的使用性能。同時研究了拋光時間、拋光盤轉數(shù)和拋光壓強等變量參數(shù)對 CsI(TI)晶體水解拋光的材料去除率和表面粗糙度的影響，得到了較優(yōu)的工藝參數(shù)組合。
　　最后，對 CsI