鉍和氟離子在多元材料中的射程分布和電子阻止本領(lǐng)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在該論文的工作中,我們研究了鉍離子和氟離子在系列多元材料中的射程分布和電子阻止本領(lǐng),包括以下幾個(gè)方面的內(nèi)容:1、在第二章和第三章中,我們簡(jiǎn)要敘述了離子與固體相互作用的理論基礎(chǔ),介紹了核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)的計(jì)算方法和計(jì)算電子阻止本領(lǐng)的模型和結(jié)果以及注入離子在材料中的射程分布的模擬計(jì)算.2、在第四章中,我們報(bào)道了用盧瑟福背散射技術(shù)得到能量為80-300keV的鉍離子注入AgGaSe<,2>和AgGaS<,2>晶體的射程分布的結(jié)果.3、在

2、第五章中,我們報(bào)道了用共振核反應(yīng)分析方法測(cè)量了<'19>F<'+>離子在KTP晶體(能量為80-330keV)、KTA晶體(能量為80-350keV)、KTN晶體(能量為80-350keV)和LiNbO<,3>晶體(能量為50-270keV)中的射程分布參數(shù)R<,p>和△R<,p>.4、在第六章中,我們報(bào)道了用共振核反應(yīng)分析技術(shù)測(cè)量了能量從50-180keV的氟離子注入SnO<,2>薄膜和80-350keV的氟離子注入ITO薄膜中的射程

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