谷胱甘肽與銅、硒的分析測定應(yīng)用及生物電化學(xué)研究.pdf

1、本文研究了玻碳汞膜電極上谷胱甘肽（GSH）的電化學(xué)行為以及測定方法和用L-半胱氨酸在金電極表面制備了自組裝膜修飾電極并用電化學(xué)方法靈敏的測定了銅離子和亞硒酸鈉并探討了自組裝膜通過銅和亞硒酸鈉的電催化作用機(jī)理。
　　1、利用循環(huán)伏安法(CV)研究了玻碳汞膜電極上谷胱甘肽（GSH）的電化學(xué)行為和定量測定方法。在含有GSH的B.R.緩沖溶液(pH=4.0)介質(zhì)中，當(dāng)汞膜電極處上汞的氧化電位的正電位時，電極表面生成的汞離子與GSH作用生成

2、電荷轉(zhuǎn)移配合物并沉積在電極表面起預(yù)富集GSH的作用。當(dāng)電極向負(fù)方向掃描時，CV圖上出現(xiàn)靈敏的汞的陰極溶出峰電流且該溶出峰電流與溶液中的GSH濃度呈良好的線性關(guān)系。利用該方法測定基體成分簡單的針劑中的GSH和植物提取液（枸杞）中的GSH含量并與顯色光度法的測定結(jié)果比較，結(jié)果基本吻合。對電極反應(yīng)機(jī)理和影響陰極溶出伏安特性的像酸度、干擾成分、掃描速率及電流函數(shù)等因素做了探討并提出了電極反應(yīng)機(jī)理。
　　2、利用L-半胱氨酸自組裝膜金電極（

3、L-Cys,Au/SAMs）,在0.2mol·L-1 HAc-NaAc緩沖液中研究了Cu2+的電化學(xué)特性。在0.7V-0.3V（vs.Ag|AgCl）電位范圍內(nèi)的循環(huán)伏安（CV）測定結(jié)果表明，修飾電極表面上的硫原子與Cu2+之間發(fā)生明顯的自發(fā)的氧化還原作用并生成Cu+配合物，這種配位作用具有富集銅離子于電極表面的特性，并具有催化Cu→Cu2+的電化學(xué)氧化過程。對不同量比的半胱氨酸和Cu2+混合溶液的CV和UV-vis光譜測定結(jié)果表明，C

4、u2+與電極表面的兩個硫原子作用生成電荷轉(zhuǎn)移配合物。根據(jù)電化學(xué)測定和配合物的計量關(guān)系的研究，提出了修飾電極上Cu2+電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理，并利用類生物膜模型提出了外源性銅通過胞內(nèi)的GSH的巰基硫原子與Cu2+的跨膜氧化還原作用生物利用銅的機(jī)理。
　　3、利用L-半胱氨酸自組裝膜修飾金電極（L-Cys,Au/SAMs）,在0.05 mol·L-1H2SO4底液中研究了Na2SeO3的電化學(xué)特性。在0.00～1.30V(vs.SCE)電位范

5、圍內(nèi)對微量亞硒酸鈉進(jìn)行循環(huán)伏安掃描，發(fā)現(xiàn) L-Cys,Au/SAMs修飾電極在峰電位0.99V處有靈敏的Se的氧化溶出峰。通過比較裸金電極和修飾電極在 Na2SeO3溶液中的電化學(xué)特性，發(fā)現(xiàn)修飾電極通過巰基中的硫和亞硒酸鈉的氧化還原作用生成零價硒(Se)，且修飾電極對沉積在電極表面 Se的氧化過程具有催化作用。根據(jù)亞硒酸鈉在單分子膜上的電化學(xué)行為研究，提出了單分子膜中硫（Au-S）與Se（IV）作用生成Se的反應(yīng)機(jī)理、Se電化學(xué)催化氧化