單晶硅太陽能電池鈍化接觸工藝的研究.pdf

1、鈍化接觸太陽能電池具有效率高、成本低、工藝簡單且與現(xiàn)存的太陽能電池制造工藝相兼容等優(yōu)點，因而成為提升單晶硅太陽能電池效率的有效途徑之一。但是要真正實現(xiàn)鈍化接觸太陽能電池的大規(guī)模產業(yè)化還需要對其工藝進行優(yōu)化，尤其是鈍化接觸層的生長工藝。鈍化接觸層的質量直接影響電池的性能。
　　本文以開發(fā)鈍化接觸層制備工藝為目標，在介紹鈍化接觸層工藝原理的基礎上，進行了使用不同的工藝方法及參數制備硅太陽能電池鈍化接觸層實驗。首先使用濕法化學和快速熱氧

2、化兩種方法制備超薄SiO2鈍化隧穿層，接著利用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）在不同的工藝條件下進行B摻雜非晶硅薄膜沉積實驗，之后采用固相晶化法（SPC）進行不同溫度的退火處理形成多晶硅，得到了系列實驗樣品。利用橢圓偏振測試儀、少子壽命測試儀、Raman散射光譜、X射線衍射儀和傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）等測試手段對實驗樣品進行了表征，分析了不同工藝參數對超薄氧化層、多晶硅層鈍化與接觸性能的影響。得到了以下結果：
　　采

3、用濕法化學和快速熱氧化方法均可獲得具有良好鈍化和隧穿效果的SiO2層。采用濕法化學氧化時，用68wt％硝酸在其沸點反應3min可制得具有較好鈍化接觸性能的氧化層；采用快速熱氧化方法時，在800℃氧化60s可獲得較為理想的氧化層。PFCVD法制備B摻雜非晶硅薄膜時，隨著摻雜濃度的増大，薄膜的電導率先增大后減小，在摻雜濃度為2%時達到最大值；退火處理會對薄膜的微觀結構和電學特性產生重大影響，隨著退火溫度的升高，薄膜的結晶度越高，電導率先增大