半導體異質結構中電子隧穿壽命的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩29頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本文在有效質量近似下，選取雙量子阱異質結構GaAs/Al0.3Ga0.7As作為電子隧穿輸運的結構，利用投影格林函數(shù)方法(PGF)和遞歸法，研究了電子從一個阱中逃逸問題.此外，這種方法還被用來研究當計入k3 Dresselhaus自旋軌道耦合效應后，電子自旋極化隧穿問題.
　　首先，結合PGF和遞歸法求解薛定諤方程，以GaAs/Al0.3Ga0.7As作為量子阱結構計算和分析了電子逃逸時間，研究了結構參數(shù)對隧穿壽命的影響.結果表明

2、，隧穿壽命隨第一個勢壘厚度的變化迅速增加.而第二個勢壘厚度的變化對電子的隧穿壽命影響很小;勢阱寬度的變化對電子隧穿壽命的影響是相反的.
　　另外，在計入k3 Dresselhaus自旋軌道耦合效應后，還研究了非對稱雙量子阱異質結構GaAs/Al0.3Ga0.7As中，不同自旋取向電子的隧穿壽命和電子的自旋極化率.研究表明，當計入k3 Dresselhaus自旋軌道耦合后，自旋向上電子對應的洛倫茲峰值位置向高能區(qū)域移動，而自旋向下電

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論