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1、本文采用巰基水相法制備量子點(diǎn)。并采用X射線粉末衍射(XRD)、透射電鏡(TEM)、能譜分析法(EDS)、熒光光譜以及紫外光譜等表征方法分別對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、形貌特征、成分、激光光譜和發(fā)射光譜以及吸收光譜進(jìn)行了表征。并且將實(shí)驗(yàn)所得的部分量子點(diǎn)應(yīng)用于白光LED中,討論了組裝所得的白光LED的相關(guān)技術(shù)指標(biāo)。研究結(jié)果表明:
⑴以巰基乙酸(TGA)為穩(wěn)定劑,SeO2為硒源在水相中一步合成CdSe量子點(diǎn)。所得量子點(diǎn)近球形,為立方晶型;
2、其紫外吸收光譜相對(duì)于體材料發(fā)生了明顯的藍(lán)移;能在黃綠光范圍內(nèi)發(fā)光,抗光漂白性強(qiáng)。
⑵以巰基乙酸為穩(wěn)定劑在合成Eu離子摻雜的CdSe納米晶體,XRD圖譜表明,實(shí)驗(yàn)所得到的樣品近球狀,為立方晶型;紫外吸收峰在~450 nm左右,熒光發(fā)射峰藍(lán)移至約505 nm。實(shí)驗(yàn)探索得到Eu的摻雜量、反應(yīng)時(shí)間及初始pH值分別為5%,5h,8.5。
⑶以3-巰基丙酸(3-MPA)為穩(wěn)定劑,NaHSeO3為硒源在水相中一步合成CdS
3、e量子點(diǎn)。該方法制備的CdSe量子點(diǎn)能在520 nm到610nm范圍內(nèi)發(fā)光,為立方晶型,呈近球狀形貌。最大熒光量子產(chǎn)率能達(dá)到9.3%,并且Se/Cd摩爾比為0.2時(shí),能獲得最窄的半峰寬(~44 nm)。相對(duì)于以巰基乙酸(TGA)為穩(wěn)定劑,SeO2為硒源合成CdSe量子點(diǎn)的方法,該方法所制備的CdSe量子點(diǎn)發(fā)光范圍更寬,熒光效率更高。
⑷以3-巰基丙酸為穩(wěn)定劑,Na2SeO3為硒源水相制備了全色發(fā)光的CdSexTe1-x合金
4、量子點(diǎn),其熒光最大發(fā)射波長(zhǎng)幾乎覆蓋整個(gè)可見光范圍(495-720 nm),最大量子產(chǎn)率達(dá)28%,紫外吸收波長(zhǎng)在460-700 nm之間,為立方晶型,近球狀,粒徑4-6 nm。
⑸實(shí)驗(yàn)制備了CdSe量子點(diǎn)、CdSe/CdS量子點(diǎn)及CdSexTe1-x/ZnS量子點(diǎn),并將它們與藍(lán)光芯片組合成白光LED。結(jié)果表明:CdSe量子點(diǎn)白光LED顯示指數(shù)均偏低,分別為40.5,49.3,43.6。CdSe/CdS量子點(diǎn)白光LED顯示指數(shù)
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