基于磁光相移的微環(huán)器件特性研究.pdf

1、硅光子學的發(fā)展激發(fā)了人們對硅基光波導器件的研究以及設(shè)計多功能的光信號處理芯片和光通信器件。其中磁光硅基波導器件（如磁光隔離器）的研究是目前大規(guī)模集成芯片的一個研究熱點。本文基于磁光相移的原理，主要研究磁光硅基波導結(jié)構(gòu)在微環(huán)中的應(yīng)用，分析磁光微環(huán)諧振器的磁場傳感特性和磁光Sagnac微環(huán)結(jié)構(gòu)的磁光開關(guān)特性。本文主要的內(nèi)容和創(chuàng)新如下：
　　1.分析了三種磁化方向下磁光效應(yīng)對導波光傳播特性的影響，重點研究了水平和垂直兩種橫向磁化時二維平

2、板波導和三維矩形波導的磁光相移特點。采用COMSOL仿真軟件計算分析了Ce:YIG/Si/SiO2和SiO2/Si-Ce:YIG/SiO2兩種磁光波導結(jié)構(gòu)中磁化強度對導波光場分布及其傳播常數(shù)的影響。研究表明，平行于Ce:YIG/Si波導界面磁化時，上述兩種波導結(jié)構(gòu)中可獲得明顯的磁光相移，它們對應(yīng)的導波光模式分別為TM波和TE波。
　　2.采用SiO2/Si-Ce:YIG/SiO2硅基磁光波導設(shè)計了一種微環(huán)諧振結(jié)構(gòu)用于磁場測量，仿真

3、計算了準 TE模導波光傳輸時微環(huán)諧振波長移動隨垂直磁化強度的變化。對于半徑為20μm的磁光微環(huán)，優(yōu)化波導寬度可使磁場測量靈敏度達到0.0054nm/(kA/m)，飽和磁化時微環(huán)諧振波長移動為0.52nm。
　　3.提出一種基于Ce:YIG/Si/SiO2波導結(jié)構(gòu)的Sagnac微環(huán)諧振型磁光開關(guān)器件，當微環(huán)長度為100μm時開關(guān)磁化強度為53.82kA/m（低于飽和磁化強度），可實現(xiàn)0.96nm帶寬信號的光開功能。與基于直波導的Sa