模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題及答案(清華大學(xué)出版社)

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題及 答案(清華大學(xué)出版社)第一章 半導(dǎo)體器件1-1 1-1 當(dāng) T=300K 時(shí)，鍺和硅二極管的反向飽和電流 IS 分別為 1 和 0.5 。如將此兩個(gè)二 A ? pA極管串聯(lián)起來(lái)，有 1μA 的正向電流流過(guò)，試問(wèn)它們的結(jié)電壓各為多少？解： 解：二極管正偏時(shí)，， TDUUSe I I ?ST D II ln U U ?對(duì)于硅管： mV 6 . 179 A 1mA 1 ln mV 26 UD ? ? ?對(duì)于鍺管：

2、mV 8 . 556 pA 5 . 0mA 1 ln mV 26 UD ? ?1-2 1-2 室溫 時(shí)，某硅二極管的反向飽和電流 IS=0.1pA。 27 C ?（1）當(dāng)二極管正偏壓為 0.65V 時(shí)，二極管的正向電流為多少？（2）當(dāng)溫度升至 或降至 時(shí)，分別計(jì)算二極管的反向飽和電流。此時(shí)，如保持 67 C ? 10 C ? ?（1）中的正向電流不變，則二極管的正偏壓應(yīng)為多少？解： 解：（1） mA 2 . 7 e 10 1 . 0 e

3、 I I mA 26mA 65012 UUSTD? ? ? ? ? ?（2）當(dāng)溫度每上升 10℃時(shí)， 增加 1 倍，則 S IpA 10 7 . 7 2 10 1 . 0 2 ) 27 ( I ) 10 ( IpA 6 . 1 2 10 1 . 0 2 ) 27 ( I ) 67 ( I3 7 . 3 12 1027 10S S4 12 1027 67S S? ? ?? ???? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ?? ??

4、 ?T=300k(即 27℃)，30026qKmA 26 300 qKqKT ) 27 ( UT?? ? ? ?即?則 67℃時(shí)，解： 解：不能。因?yàn)樗鼈儾豢赡芡瑫r(shí)滿足如下條件，即：發(fā)射區(qū)摻雜濃；集電結(jié)面積大；基區(qū)薄。放大時(shí)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，用二極管等效集電結(jié)反偏時(shí)不可能有電流，而晶體管二個(gè)結(jié)因具有上述特點(diǎn)載流子可輸出到集電極去。1-6 1-6 已知晶體管工作在線性放大區(qū)，并測(cè)得各極電壓如圖 P1-6 所示。試畫(huà)出晶體管的電路符號(hào)

5、并注明是硅管還是鍺管。解： 解：GeSi1-7 1-7 已測(cè)得晶體三極管各極對(duì)地電位如圖 P1-7 所示。判斷它們處于何種工作狀態(tài)（飽和，放大，截止或損壞） 。解： 解： 放大 截止損壞臨界飽和 UBE=UCE圖 P1-5NPN PNPb b b bc c c ce e e e-2.3V圖 P1-6-7V-2V8V3.7V 3V(a) (b)圖 P1-7-8.2V(a)-12V-8V2V8V2.3V3V8V1V8.2V8.2V8V2V