憶阻器模型電路設(shè)計及其在混沌電路中的應(yīng)用研究.pdf

1、憶阻器是繼電阻、電容和電感之后的第四種基本電子元件，自2008年，惠普實(shí)驗(yàn)室成功實(shí)現(xiàn)其實(shí)物器件以來，因其獨(dú)特的記憶功能和納米級尺寸特性，在非易失性存儲器、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和電路設(shè)計等眾多領(lǐng)域巨大的潛在應(yīng)用價值，吸引了廣大國內(nèi)外學(xué)者對其進(jìn)行研究。采用納米技術(shù)實(shí)現(xiàn)憶阻器存在技術(shù)難度大、成本高等系列問題，因此當(dāng)前憶阻器實(shí)物器件還只存在于實(shí)驗(yàn)室中，距離其走出實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)商品化還需一段時間，這給研究憶阻器電學(xué)特性及其相關(guān)應(yīng)用造成了相當(dāng)大的困難，因此設(shè)計

2、具有憶阻器電學(xué)特性的模擬等效電路對分析和研究憶阻器及其相關(guān)應(yīng)用具有重要意義。憶阻器其阻值會隨輸入激勵信號的變化而產(chǎn)生改變，是一種典型的非線性無源器件，因此是設(shè)計混沌和超混沌電路的理想元件。憶阻器混沌電路以其體積小、功耗低等優(yōu)勢將廣泛應(yīng)用于混沌芯片集成和混沌保密通信等眾多領(lǐng)域。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴根據(jù)惠普荷控憶阻器電學(xué)特性，設(shè)計了一種荷控憶阻器模擬等效電路，經(jīng)Pspice仿真驗(yàn)證，該等效電路能很好地模擬荷控憶阻器的電學(xué)特性，

3、并且提出的等效電路結(jié)構(gòu)簡單，硬件實(shí)現(xiàn)容易，非常適合在實(shí)驗(yàn)環(huán)境中分析和研究憶阻器，同時該模擬等效電路能應(yīng)用于實(shí)際憶阻器混沌電路的仿真。⑵提出了一種設(shè)計憶阻器混沌電路的新思路，認(rèn)為可以把憶阻器浮地，當(dāng)作普通的二端口器件，將其任意地連接到電路中，在蔡氏電路的基礎(chǔ)上利用浮地型憶阻器設(shè)計了一種五階憶阻器混沌電路，為驗(yàn)證所設(shè)計電路的正確性，設(shè)計了一種浮地型憶阻器等效電路并將其應(yīng)用于所提電路中，仿真結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計的正確性和可行性。⑶根據(jù)惠普荷控憶阻器