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文檔簡介
1、導電聚合物結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、導電性好,在超級電容器、太陽能電池、光電子器件、光催化降解等領(lǐng)域有廣闊的應用前景。單質(zhì)碲作為一種重要的Ⅵ族半導體,由于其優(yōu)異的光學和電學性質(zhì)引起了人們的廣泛關(guān)注。本論文通過自催化聚合方法合成多種具有光電性質(zhì)的導電聚合物/碲納米復合材料,通過掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)、傅里葉紅外光譜(FTIR)、拉曼光譜(Raman)、紫外光譜(UV)、熱重分析(TGA)、電化學阻抗譜(EIS)等方法
2、對所得復合材料進行表征,研究復合材料的非線性光學性質(zhì)及超級電容性質(zhì)。本研究主要內(nèi)容包括:
?、磐ㄟ^苯胺與H2TeO3間的氧化還原反應合成聚苯胺/碲(PANI/Te)納米復合材料。在此過程中,先用少量水合肼還原H2TO3生成高活性單質(zhì)碲,該活性碲繼而催化引發(fā)H2TeO3與苯胺的氧化還原反應,不斷產(chǎn)生聚苯胺和具有催化活性的單質(zhì)碲,最終形成PANI/Te納米復合材料。所得產(chǎn)物用SEM、TEM表征形貌,用XRD判斷物質(zhì)的晶型,用FTIR
3、、Raman、UV測定結(jié)構(gòu),并探討復合材料的形成機理及影響因素。結(jié)果表明,在表面活性劑誘導下,產(chǎn)物中六方晶型的碲納米線束被聚苯胺膜包覆,從而形成掃帚狀PANI/Te復合材料。另外,剩余的HTeO3-以靜電力吸附在聚苯胺鏈上,增加了復合材料的溶解性。Z掃描測試結(jié)果表明,由于光導性好的碲與導電性好的聚苯胺的協(xié)同效應,使所得PANI/Te納米復合材料具有較大的雙光子吸收截面,表現(xiàn)出良好的非線性光學性質(zhì)。
?、朴蒙倭克想逻€原H2TeO
4、3生成高活性單質(zhì)碲,通過高活性碲的催化作用引發(fā)H2TeO3與噻吩的氧化還原反應,從而不斷產(chǎn)生聚噻吩和具有催化活性的單質(zhì)碲,最終形成聚噻吩/碲(PTh/Te)納米復合材料。利用XRD、SEM、TEM、UV、TGA等一系列測試技術(shù)對產(chǎn)物進行表征,對復合材料的形成機理及影響因素進行討論。結(jié)果表明,在表面活性劑誘導下,聚噻吩與單質(zhì)碲結(jié)合形成花束狀納米復合粒子。另外,剩余的HTeO3-以靜電力吸附在聚噻吩鏈上,增加了復合材料的溶解性。Z掃描試驗結(jié)
5、果表明,PTh/Te納米復合材料具有大的雙光子吸收的橫截面(TPA)和非線性光學(NLO)吸收系數(shù)。
?、窃邴}酸水溶液中,利用H2TeO3直接氧化吡咯,生成聚吡咯和具有催化活性的單質(zhì)碲。在單質(zhì)碲催化作用下,通過H2TeO3與吡咯間的氧化還原反應制備聚吡咯/碲(PPy/Te)納米復合材料。利用XRD、SEM、TEM、FTIR、EIS等對復合材料進行表征,對復合材料的形成機理及影響因素進行討論。結(jié)果表明,在表面活性劑誘導下,產(chǎn)物由覆
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