2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、由于碳納米管(CNTs)具有優(yōu)越的電學性能和力學性能,在電子器件和復合材料中有廣闊的應用前景?;瘜W氣相沉積法(CVD)具有工藝簡單,產(chǎn)物純度高等優(yōu)點,并且能夠直接在基底上得到碳納米管陣列,是目前使用最多的制備碳納米管陣列的方法。本論文基于 CVD法成功制備了碳納米管陣列,并研究了工藝參數(shù)對不同性質(zhì)的基底上碳納米管陣列生長機理及形貌的影響。
  本文首先研究了碳納米管陣列在石英(SiO2)基底上的生長,討論了工藝參數(shù)對碳納米管陣列的

2、形貌和結(jié)構(gòu)的影響,并對碳納米管陣列的力學性能和導電性能進行了測試,討論了碳納米管陣列的一些可能存在的應用領(lǐng)域。其次研究了在圖案化的Au/Si和Al/Si基底上碳納米管陣列的生長情況并進行了討論。
  實驗結(jié)果表明:通過工藝優(yōu)化,在石英基底上實現(xiàn)了碳納米管陣列超長和快速生長,碳納米管陣列最高可達到1.3mm,最快生長速率約為39μm/min。碳納米管陣列在應變?yōu)?0%時,塑性形變僅為9.8%;在10次應變?yōu)?0%的循環(huán)壓縮后,幾乎無

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