添加banb2o6對batio3k0.5bi0.5tio3基陶瓷電性能的影響

1、論文題目：滂西料技大學添加B a N b 2 0 6 對B a T i 0 3 ／K o ．5 B i o ．5 T i 0 3 基陶瓷電性能的影響學科門類：工學一級學科：材料科學與工程培養(yǎng)單位：材料科學與工程學院碩士生：高攀導師：蒲永平教授2 0 1 4 年5 月添加B a N b 2 0 6 對B a T i 0 3 ／K 0 ．5 B i 0 ．5 T i 0 3 基陶瓷電性能的影響摘要隨著科學技術的發(fā)展以及人們生活水平的提高，各

2、種便攜式電子設備越來越受到人們的歡迎。因此，電子器件的微型化、集成化和智能化將成為未來電子行業(yè)的發(fā)展趨勢。日常生活中普遍使用的高介高穩(wěn)電容器陶瓷材料、高居里點P T C 陶瓷以及壓電器件大多含有鉛，由于鉛的揮發(fā)性和毒性會對人體健康和環(huán)境和諧造成破壞，因此，急需開發(fā)一類具有優(yōu)異電性能的無鉛材料來取代含鉛材料。本文制備了B a N b ，O 。添加的B a T i O √K 。；B i n 。T i O ，陶瓷，并研究了這類材料的組成、制備

3、與電性能的關系，旨在尋求一種新型無鉛功能陶瓷材料的配方組成及制備工藝。首先，采用傳統(tǒng)固相法制備了B a N b ，O 。添加的B a T i O ，陶瓷，研究了B a N b ，O 。添加量對B a T i O ，陶瓷燒結溫度、物相組成、表面形貌及介電性能的影響。實驗結果表明：當B a N b ，O 。添加含量在l m 0 1 ％附近時，陶瓷的結構從鐵電四方相結構逐漸變?yōu)橼I立方相結構，然而，當添加含量大于1 m 0 1 ％時出現(xiàn)了微量的

4、第二相，說明B a N b ，O 。在B a T i O ，晶格中的固溶度低于l m 0 1 ％。由于B a N b 2 0 6 從B a T i 0 3 晶粒外層逐漸向晶粒內部擴散，使陶瓷的核與殼結構變得不均勻，導致了介溫峰發(fā)生變化，從而提高了介溫穩(wěn)定性。當添加劑含量為O ．8 m 0 1 ％和1 m 0 1 ％時，陶瓷樣品室溫下呈現(xiàn)出高的介電常數(shù)和低的介電損耗，并在一5 5 ℃～1 2 5 ℃之間具有穩(wěn)定的容溫變化率，這類材料可用于

5、制備較大電容的X 7 R 陶瓷電容器。其次，采用傳統(tǒng)固相法制備了B 批，O 。添加的K 。。B i 。，T i O ，基陶瓷，研究了B a N b ，O 。添加對K 。；B i n ；T i O ，陶瓷的晶格參數(shù)、微觀結構、介電和壓電性能的影響。結果表明：當摻雜含量在1 ％～2 m 0 1 ％的范圍內陶瓷體系具有準同型相界，當摻雜含量高達3 ％時有少量的第二相的出現(xiàn)，這就意味著B a N b ，O ；在K 。；B i n ；T i O