trench mosfet 的研究與進展

1、1“半導體技術(shù)”2007年第32卷第4期技術(shù)論文“摘要”趨勢與展望P277TrenchMOSFET的研究與進展P281光子射頻移相器研究與進展現(xiàn)代管理P284晶圓復(fù)雜制造系統(tǒng)在線優(yōu)化調(diào)度系統(tǒng)研究技術(shù)專欄(晶圓生長及晶片制備技術(shù))P288LECGaAs晶體中殘留雜質(zhì)碳和硼的控制P293VBGaAs單晶生長技術(shù)P297硅片納米微粒清洗潔凈新技術(shù)P301高阻真空區(qū)熔硅單晶的生長器件制造與應(yīng)用P304GaAsMESFET微波固態(tài)振蕩器的設(shè)計與實

2、現(xiàn)P308SiO2SiC界面陷阱電荷近似計算的局限P313GaN功率器件模型及其在電路設(shè)計中的應(yīng)用P316PS級任意整形脈沖發(fā)生器工藝技術(shù)與材料P320多層金屬化系統(tǒng)中的蓄水池效應(yīng)P324骨架提取在IC晶片缺陷機器視覺識別中的研究集成電路設(shè)計與開發(fā)P328嵌入式系統(tǒng)中EEPROM接口及控制電路設(shè)計P332一種寬帶低功耗電壓可變衰減器的研究P335深亞微米SOC芯片分層設(shè)計方法P339電壓模式ｎ階ＣＦＡ低通濾波器的設(shè)計微納工藝、材料與器件

3、P342基于MEMS的光開關(guān)技術(shù)研究封裝、測試與設(shè)備P345低壓器件的三點式Delta測量法P349影響ESD荷電器件模型放電電流的關(guān)鍵參數(shù)研究P354功率型LED芯片的熱超聲倒裝技術(shù)P358柔性O(shè)LED封裝方法的研究3技術(shù)專欄(晶圓生長及晶片制備技術(shù))LECGaAs晶體中殘留雜質(zhì)碳和硼的控制晶體中殘留雜質(zhì)碳和硼的控制周春鋒，林健，郭鑫，吳元慶，張亮，賴占平（中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津３００２２０）摘要：摘要：在非摻雜LE

4、C（liquidencapsulatedCzochralski）半絕緣GaAs晶體中碳和硼是主要的殘留雜質(zhì)，這兩種雜質(zhì)影響襯底的半絕緣性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼雜質(zhì)結(jié)合和分離機理基礎(chǔ)上，采取真空烘燒、降低氧化硼溫度、控制氧化硼水含量和在富砷熔體中生長晶體等措施，達到了對GaAs晶體中殘留雜質(zhì)硼和碳的控制。VBGaAs單晶生長技術(shù)單晶生長技術(shù)林健，牛沈軍，蘭天平（中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津３００２２０）摘要

5、：摘要：半導體GaAs單晶材料通常用于制作激光二極管和高亮度發(fā)光二極管。對于激光二極管而言，特別需要低位錯材料。簡要闡述了垂直布里奇曼（VB）法生長GaAs單晶材料的動力學原理及VBGaAs單晶的生長技術(shù)。本技術(shù)可實現(xiàn)低位錯GaAs單晶材料的生長，拉制的50mm摻硅GaAs單晶的平均位錯密度為500cm2，最大為1000cm2。硅片納米微粒清洗潔凈新技術(shù)硅片納米微粒清洗潔凈新技術(shù)張慧，成立，韓慶福，嚴雪萍，劉德林，徐志春，李?。ńK大學