計算機組成原理第3章習題參考答案

1、第3章習題參考答案1第3章習題參考答案章習題參考答案1、設有一個具有20位地址和32位字長的存儲器，問(1)該存儲器能存儲多少字節(jié)的信息？(2)如果存儲器由512K8位SRAM芯片組成，需要多少片？(3)需要多少位地址作芯片選擇？解：(1)該存儲器能存儲：字節(jié)4M832220??(2)需要片8823228512322192020??????K(3)用512K?8位的芯片構成字長為32位的存儲器，則需要每4片為一組進行字長的位數(shù)擴展，然后

2、再由2組進行存儲器容量的擴展。所以只需一位最高位地址進行芯片選擇。2、已知某64位機主存采用半導體存儲器，其地址碼為26位，若使用4M8位的DRAM芯片組成該機所允許的最大主存空間，并選用內(nèi)存條結(jié)構形式，問；(1)若每個內(nèi)存條為16M64位，共需幾個內(nèi)存條(2)每個內(nèi)存條內(nèi)共有多少DRAM芯片(3)主存共需多少DRAM芯片CPU如何選擇各內(nèi)存條解：(1)共需內(nèi)存條條4641664226???M(2)每個內(nèi)存條內(nèi)共有個芯片32846416

3、???MM(3)主存共需多少個RAM芯片，共有4個內(nèi)存條，1288464648464226??????MMM故CPU選擇內(nèi)存條用最高兩位地址A24和A25通過2：4譯碼器實現(xiàn)；其余的24根地址線用于內(nèi)存條內(nèi)部單元的選擇。3、用16K8位的DRAM芯片構成64K32位存儲器，要求：(1)畫出該存儲器的組成邏輯框圖。(2)設存儲器讀寫周期為0.5μS，CPU在1μS內(nèi)至少要訪問一次。試問采用哪種刷新方式比較合理兩次刷新的最大時間間隔是多少對

4、全部存儲單元刷新一遍所需的實際刷新時間是多少解：(1)用16K8位的DRAM芯片構成64K32位存儲器，需要用個芯片，其中每4片為一組構成16K32位——進行字長位16448163264?????KK第3章習題參考答案3(1)需要片，每4片為一組，共需8組32488128321024?????KK(2)設計此存儲體組成框圖如下所示。(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10)(11)(12)(13)(14)(15)(1

5、6)CPUD0?D31RAS0A0?A16A17A18A0?A8WEWE38譯碼RASD0?7D8?15D16?23D24?31D0?7D8?15D16?23D24?31D0?7D8?15D16?23D24?31D0?7D8?15D16?23D24?31WEWEWE(17)(18)(19)(20)(21)(22)(23)(24)(25)(26)(27)(28)(29)(30)(31)(32)CPUA0?A16WED0?7D8?15D16

6、?23D24?31D0?7D8?15D16?23D24?31D0?7D8?15D16?23D24?31D0?7D8?15D16?23D24?31A19RAS0RAS1RAS2RAS3RAS4RAS5RAS6RAS7RAS1RAS2RAS3RAS4RAS5RAS6RAS7WE(3)設該128K?8位的DRAM芯片的存儲陣列為512?256?8結(jié)構，則如果選擇一個行地址進行刷新，刷新地址為A0?A8，那么該行上的2048個存儲元同時進行刷新

7、，要求單元刷新間隔不超過8ms，即要在8ms內(nèi)進行512次刷新操作。采用異步刷新方式時需要每隔進行一次，可取刷新信號周期為sms?625.155128?15.5?s。5、要求用256Kl6位SRAM芯片設計1024K32位的存儲器。SRAM芯片有兩個控制端：當CS有效時，該片選中。當WR＝1時執(zhí)行讀操作，當WR=0時執(zhí)行寫操作。解：，共需8片，分為4組，每組2片片82416256321024?????KK即所設計的存儲器單元數(shù)為1M，字