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文檔簡介
1、第1頁共48頁第1章思考題及習題參考答案1寫出下列二進制數(shù)的原碼、反碼和補碼(設字長為8位)。(1)001011(2)100110(3)001011(4)111111答:(1)原碼:00001011反碼:00001011補碼:00001011(2)原碼:00100110反碼:00100110補碼:00100110(3)原碼:10001011反碼:11110100補碼:11110101(4)原碼:10111111反碼:11000000補碼
2、:110000012已知X和Y,試計算下列各題的[XY]補和[XY]補(設字長為8位)。(1)X=1011Y=0011(2)X=1011Y=0111(3)X=1000Y=1100答:(1)X補碼=00001011Y補碼=00000011[–Y]補碼=11111101[XY]補=00001110[XY]補=00001000(2)X補碼=00001011Y補碼=00000111[–Y]補碼=11111001[XY]補=00010010[XY
3、]補=00000100(3)X補碼=00001000Y補碼=00001100[–Y]補碼=11110100[XY]補=00010100[XY]補=111111003微型計算機由那幾部分構成?答:微型計算機由微處理器、存儲器和IO接口電路構成。各部分通過地址總線(AB)、數(shù)據(jù)總線(DB)和控制總線(CB)相連。48086的尋址范圍有多大?其物理地址是如何形成?答:8086有20根地址總線,它可以直接尋址的存儲器單元數(shù)為1M字節(jié),其地址區(qū)域
4、為00000H—FFFFFH。第3頁共48頁第2章思考題及習題思考題及習題參考答案:參考答案:2.1.說明ROM、EPROM、EEPROM和FLASH之間的主要區(qū)別解:ROM為只讀存儲器,在一般情況下只能讀出所存信息,而不能重新寫入。信息的寫入是通過工廠的制造環(huán)節(jié)或采用特殊的編程方法進行的,一旦寫入,就能長期保存。EPROM芯片一般允許用戶多次編程和擦除。擦除時,通過向芯片窗口照射紫外光的方法來進行。EEPROM,也稱E2PROM。該類
5、芯片允許用戶多次編程和擦除。擦除時,可采用加電方法在線進行。FLASH是一種新型的大容量、速度快、電可擦除可編程只讀存儲器。2.2.EPROM、PROM、動態(tài)RAM、靜態(tài)RAM等存儲器中,哪幾類是可以隨時讀寫的?解:動態(tài)RAM、靜態(tài)RAM這幾類是可以隨時讀寫的。2.3某ROM芯片中有12根地址輸入端和8個數(shù)據(jù)輸出端,該芯片的存儲容量是多少位?解:芯片的存儲容量是4K8位。2.4.說明動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的主要區(qū)別,使用時應如何選用?解
6、:靜態(tài)(static)RAM,即SRAM。它以觸發(fā)器為基本存儲單元,所以只要不掉電,其所存信息就不會丟失。該類芯片的集成度不如動態(tài)RAM,功耗也比動態(tài)RAM高,但它的速度比動態(tài)RAM快,也不需要刷新電路。在構成小容量的存儲系統(tǒng)時一般選用SRAM。在微型計算機中普遍用SRAM構成高速緩沖存儲器。動態(tài)(Dynamic)RAM,即DRAM。一般用MOS型半導體存儲器件構成,最簡單的存儲形式以單個M0S管為基本單元,以極間的分布電容是否持有電荷
7、作為信息的存儲手段,其結構簡單,集成度高。但是,如果不及時進行刷新,極間電容中的電荷會在很短時間內自然泄漏,致使信息丟失。所以,必須為它配備專門的刷新電路。動態(tài)RAM芯片的集成度高、價格低廉,所以多用在存儲容量較大的系統(tǒng)中。目前,微型計算機中的主存幾乎都是使用動態(tài)RAM。2.5.說明NFLASH與NFLASH的主要區(qū)別,使用時應如何選用?解:NFlash具有以下特點:(1)程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上,擁有獨立的數(shù)據(jù)總線和地址總線,能快
8、速隨機讀取,允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行,而無需先將代碼下載至RAM中再執(zhí)行;(2)可以單字節(jié)或單字編程,但不能單字節(jié)擦除,必須以塊為單位或對整片執(zhí)行擦除操作,在對存儲器進行重新編程之前需要對塊或整片進行預編程和擦除操作。但是NFlash的擦除和編程速度較慢,塊尺寸又較大,因此擦除和編程操作所花費的時間很長,在純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲的應用中,N技術顯得力不從心。NFlash具有以下特點:(1)以頁為單位進行讀和編程操作,1頁為2
9、56或512B(字節(jié));以塊為單位進行擦除操作,1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能,其塊擦除時間是2ms;而N技術的塊擦除時間達到幾百ms。(2)數(shù)據(jù)、地址采用同一總線,實現(xiàn)串行讀取。隨機讀取速度慢且不能按字節(jié)隨機編程。(3)芯片尺寸小,引腳少,是位成本(bitcost)最低的固態(tài)存儲器,將很快突破每兆字節(jié)1美元的價格限制。(4)芯片包含有失效塊,其數(shù)目最大可達到3~35塊(取決于存儲器密度)。失效塊不會影響有效塊的性
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