高效太陽(yáng)能電池的工藝流程

1、高效太陽(yáng)能電池的工藝流程高效太陽(yáng)能電池的工藝流程高效單晶硅太陽(yáng)電池工藝流程如下：1)去除損傷層2)表面絨面化3)發(fā)射區(qū)擴(kuò)散4)邊緣結(jié)刻蝕5)PECDV沉積SiN6)絲網(wǎng)印刷正背面電極漿料7)共燒形成金屬接觸8)電池片測(cè)試。下面我們著重來(lái)看一下每一個(gè)工藝，1.首先是絨面制備：硅片采用0.5~2Ω.cm，P型晶向?yàn)椋?00）的單晶硅片。利用氫氧化鈉溶液對(duì)單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕的特點(diǎn)來(lái)制備絨面。當(dāng)各向異性因子=10時(shí)（所謂各向異性因子就是（

2、100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比），可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)?？商岣邌尉Ч杼?yáng)電池的短路電流，從而提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。金字塔形角錐體的表面積S0等于四個(gè)邊長(zhǎng)為a正三角形S之和S0=4S=4aa=a2由此可見(jiàn)有絨面的受光面積比光面提高了倍即1.732倍。當(dāng)一束強(qiáng)度為E0的光投射到圖中的A點(diǎn)，產(chǎn)生反射光Φ1和進(jìn)入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以繼續(xù)投射到另一方錐的B點(diǎn)

3、，產(chǎn)生二次反射光Φ3和進(jìn)入半導(dǎo)體的折射光Φ4；而對(duì)光面電池就不產(chǎn)生這第二次的入射。經(jīng)計(jì)算可知還有11%的二次反射光可能進(jìn)行第三次反射和折射，由此可算得絨面的反射率為9.04%。2.絨面制備：采用三氯氧磷氣體攜帶源方式，這個(gè)工藝的特點(diǎn)是生產(chǎn)高，有利于降低成本。新購(gòu)的8吋硅片擴(kuò)散爐、石英管口徑達(dá)270mm，可以擴(kuò)散156156（mm）的硅片。由于石英管口徑大，恒溫區(qū)長(zhǎng)，提高了擴(kuò)散薄層電阻均勻性，有利于降低太陽(yáng)電池的串聯(lián)電阻Rs，從而提高太陽(yáng)

4、電池填充因子FF。3.SiN鈍化與APCVD淀積TiO2：先期的地面用高效單晶硅太陽(yáng)電池一般采用鈍化發(fā)射區(qū)太陽(yáng)電池(PESC)工藝。在擴(kuò)散過(guò)去除磷硅玻的硅片上熱氧化生長(zhǎng)一層10nm~25nm厚SiO2為使表面層非晶化改變了表面層硅原子價(jià)鍵失配情況使表面趨于穩(wěn)定這樣減少了發(fā)射區(qū)表面復(fù)合提高了太陽(yáng)電池對(duì)藍(lán)光的響應(yīng)同時(shí)也增加了短路電流密度Jsc由于減少了發(fā)射區(qū)表面復(fù)合這樣也就減少了反向飽和電流密度從而提高了太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓Voc。還有如果沒(méi)有