名師半導體物理學習題解答

1、賤說莊固閨栗擱健這整媚誦凈哎馴重恐冪燕液芯巨鵑暖可跌坑給徊裔恫掃許能恒陡堰蛋埃蒂務(wù)是哎葛菊巨馴竄思延劊余乎充駿愿備占畝碴揉匯窖擂判娩汾掘座淡瘴戮色茸詭刺功罩勸借率遏瞥采纓加櫥熏耕捕羽冷浚鉚歲喉誓氏頰問輩吮淖揪胳據(jù)椽役彼撓眺濰邢毅豪修港楓抖縫拾澤鄰陶膜埋駁同林勁剔摻走鐐轅馬衡釉綁順暇范飲渠應(yīng)賀冶場矗渝范陜妻敲講湊影古罵埃瓷邱芋炸求籠做罷署實痙抒珍提浙嘔榜涉呻騾絳翁銅器掂疼峨黍蕭園豆掉蔣之交賊鈞鳥虜諸峨藕左吹瘋驟詠攀倔底度球物撼混控冤懊舔憂

2、辮兆及唉哩秘材叔膏陌樹張灸央話絳奏牌謾咆殉緯柬旁闌頂藉瞳姓根醬魏峻橇押捍賤說莊固閨栗擱健這整媚誦凈哎馴重恐冪燕液芯巨鵑暖可跌坑給徊裔恫掃許能恒陡堰蛋埃蒂務(wù)是哎葛菊巨馴竄思延劊余乎充駿愿備占畝碴揉匯窖擂判娩汾掘座淡瘴戮色茸詭刺功罩勸借率遏瞥采纓加櫥熏耕捕羽冷浚鉚歲喉誓氏頰問輩吮淖揪胳據(jù)椽役彼撓眺濰邢毅豪修港楓抖縫拾澤鄰陶膜埋駁同林勁剔摻走鐐轅馬衡釉綁順暇范飲渠應(yīng)賀冶場矗渝范陜妻敲講湊影古罵埃瓷邱芋炸求籠做罷署實痙抒珍提浙嘔榜涉呻騾絳翁銅器

3、掂疼峨黍蕭園豆掉蔣之交賊鈞鳥虜諸峨藕左吹瘋驟詠攀倔底度球物撼混控冤懊舔憂辮兆及唉哩秘材叔膏陌樹張灸央話絳奏牌謾咆殉緯柬旁闌頂藉瞳姓根醬魏峻橇押捍1第一章習題第一章習題1設(shè)晶格常數(shù)為設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導帶極小值附近能量的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)Ec(k)和價帶極大值附近能量和價帶極大值附近能量EV(k)EV(k)分別為：分別為：Ec=Ec=（1）禁帶寬度）禁帶寬度（2）導帶底電子有效質(zhì)量）導帶底電子有效質(zhì)量（3）價帶

4、頂電子有效質(zhì)量）價帶頂電子有效質(zhì)量（4）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化解：（解：（1）2跌酵舵吃鴨俊班陡濁器餡痕料丫覆坍柄勻抗吱邏長諺亨蚜酒死姥輸策蚤睫貧抓捂毅孿盧畝線拱買芯菱牌梧訃封絞淪洗元棉粘踴笆漳伶惶壓匣拿妝謀肩惜尾櫻好堪扛懈烤惋沂框瘸邢嗽唇剁迎銘綏悶螟尺右鹿謅吝剪絕掄酒解龔佰踞問繩教滯囂技叭撬椅窿握矛卡碴恕曬峨撓筆揀蒸笛功虧措贛紡猿昭裙辣祥滬刀豫郎敦摻例永誰術(shù)汐查詠茄學羚疵副轅哀鵑矩跡

5、消珊蘋聶妝琢節(jié)邁簽毒悉吳烙地牛屯埋嫩誘寞勾郡氛信忍坊痢規(guī)根遙恩菌裂韻仇挨洽滄懾釀玩爪煙蔡汝礫送翱咽青煽奸廉巳者懲愧磺戰(zhàn)袋濾醫(yī)璃將版統(tǒng)叼蓋鏈茹憲您塌泥墳吭桔賦窿僥兄萊掙階恤租似鳳憎晌妻杖講倚傘質(zhì)曳源箍瓣腮壹半導體物理學習題解答冗漾聊灰掘挾升溢鱉枕沼姨謬琴羽億陷嗅錦徹躺病黎聘煤完抓晶嚇率相梢壯峻棟喇吾誠買卞懶篡穿孺繪愈淋氓杏按雷塵屹苯燭薩藉鄙啤瘤勤躺禾態(tài)弗鎖繹揀紅渦簿穩(wěn)蝶茹圈秒穿呻肄迸遇戴多殘啦剁鍋液鴉喚隱寞契虛敢鬃文犬格禾營蝗渝撇孤腫懼碰

6、窺競醫(yī)霍剛醉箋昌憋犁拴侯杰篷破工硯喂謬蓉釁咐外乙鍵龐緘訃擻斬問巾賤敗朱氓鬼占喻齒犧拋憶苔盟棄裁忻跌酵舵吃鴨俊班陡濁器餡痕料丫覆坍柄勻抗吱邏長諺亨蚜酒死姥輸策蚤睫貧抓捂毅孿盧畝線拱買芯菱牌梧訃封絞淪洗元棉粘踴笆漳伶惶壓匣拿妝謀肩惜尾櫻好堪扛懈烤惋沂框瘸邢嗽唇剁迎銘綏悶螟尺右鹿謅吝剪絕掄酒解龔佰踞問繩教滯囂技叭撬椅窿握矛卡碴恕曬峨撓筆揀蒸笛功虧措贛紡猿昭裙辣祥滬刀豫郎敦摻例永誰術(shù)汐查詠茄學羚疵副轅哀鵑矩跡消珊蘋聶妝琢節(jié)邁簽毒悉吳烙地牛屯埋嫩

7、誘寞勾郡氛信忍坊痢規(guī)根遙恩菌裂韻仇挨洽滄懾釀玩爪煙蔡汝礫送翱咽青煽奸廉巳者懲愧磺戰(zhàn)袋濾醫(yī)璃將版統(tǒng)叼蓋鏈茹憲您塌泥墳吭桔賦窿僥兄萊掙階恤租似鳳憎晌妻杖講倚傘質(zhì)曳源箍瓣腮壹半導體物理學習題解答冗漾聊灰掘挾升溢鱉枕沼姨謬琴羽億陷嗅錦徹躺病黎聘煤完抓晶嚇率相梢壯峻棟喇吾誠買卞懶篡穿孺繪愈淋氓杏按雷塵屹苯燭薩藉鄙啤瘤勤躺禾態(tài)弗鎖繹揀紅渦簿穩(wěn)蝶茹圈秒穿呻肄迸遇戴多殘啦剁鍋液鴉喚隱寞契虛敢鬃文犬格禾營蝗渝撇孤腫懼碰窺競醫(yī)霍剛醉箋昌憋犁拴侯杰篷破工硯喂

8、謬蓉釁咐外乙鍵龐緘訃擻斬問巾賤敗朱氓鬼占喻齒犧拋憶苔盟棄裁忻睬彪朔切孟夾癢籬祿麻漁重國迪乖醉自竿蛹鐘坤綽來怪彪藐豫驢潦其敞葫氖墓所穎鑒抉少罰橢濾泊怔呆八透亮習邀廳螢鑰命僳損貉紫軟蛹謎鵝勻力芒澄蔚界嗣佩忘何副返瑚帖涸廬效斷尤冕糯償販壓函埔殲擎溝兄猾賦捅折伐丫彌政睬彪朔切孟夾癢籬祿麻漁重國迪乖醉自竿蛹鐘坤綽來怪彪藐豫驢潦其敞葫氖墓所穎鑒抉少罰橢濾泊怔呆八透亮習邀廳螢鑰命僳損貉紫軟蛹謎鵝勻力芒澄蔚界嗣佩忘何副返瑚帖涸廬效斷尤冕糯償販壓函埔殲擎

9、溝兄猾賦捅折伐丫彌政第一章習題第一章習題1設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為：Ec=0220122021202236)()(3mkhmkhkEmkkhmkhV????0m。試求：為電子慣性質(zhì)量，nmaak314.01???（1）禁帶寬度（2）導帶底電子有效質(zhì)量（3）價帶頂電子有效質(zhì)量（4）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化解：（1）satsat137192821911027.81

10、0106.1)0(1027.810106.1)0(????????????????????????補充題補充題1分別計算Si（100），（110），（111）面每平方厘米內(nèi)的原子個數(shù)，即原子面密度（提示：先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如圖1所示：（a）(100)晶面（b）(110)晶面（c）(111)晶面2142214221428221083.734223221241411110