2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、《電力電子技術(shù)電力電子技術(shù)》第五版第五版機(jī)械工業(yè)出版社機(jī)械工業(yè)出版社課后習(xí)題答案課后習(xí)題答案第二章第二章電力電子器件電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)。或:(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?維持

2、晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)電流降到

3、接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。斷。3.圖143中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值與電流有效值I1、I2、I3。002?2?2????4?4?25?4a)b)c)圖1430圖143晶閘管導(dǎo)電波形晶閘管導(dǎo)電波形解:解:a)

4、Id1==()0.2717Imπ21?????4)(sinttdImπ2mI122??I1==0.4767Im??????42)()sin(21tdtIm2mI?2143??b)Id2==()0.5434Imπ1?????4)(sinttdImπmI122??I2==0.6741I??????42)()sin(1tdtIm22mI?2143??mc)Id3==Imπ21?20)(??tdIm41I3==Im?202)(21???tdIm

5、2137.IGBT、GTR、GTO和電力和電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)?的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)?答:答:IGBT驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻,驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻,IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,型器件,IGBT的驅(qū)動(dòng)多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。的驅(qū)動(dòng)多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。GTR驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流有足夠陡的前沿,并有一驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電

6、流有足夠陡的前沿,并有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗,關(guān)斷時(shí),驅(qū)動(dòng)電路能提供幅值足定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗,關(guān)斷時(shí),驅(qū)動(dòng)電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動(dòng)電流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。夠大的反向基極驅(qū)動(dòng)電流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。GTO驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:GTO要求其驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流的前沿應(yīng)有足要求其驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度,且一般需要在

7、整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流,關(guān)斷需施加負(fù)門極夠的幅值和陡度,且一般需要在整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流,關(guān)斷需施加負(fù)門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅(qū)動(dòng)電路通常包括開通驅(qū)動(dòng)電路,關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和電流,幅值和陡度要求更高,其驅(qū)動(dòng)電路通常包括開通驅(qū)動(dòng)電路,關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門極反偏電路三部分。門極反偏電路三部分。電力電力MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn):要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸入電阻,驅(qū)動(dòng)功驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn):要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸入電阻,驅(qū)動(dòng)功率小且電路簡(jiǎn)

8、單。率小且電路簡(jiǎn)單。8.全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試分析全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試分析RCD緩沖電路中各元件緩沖電路中各元件的作用。的作用。答:全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內(nèi)因過電壓,答:全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內(nèi)因過電壓,dudt或過電流和或過電流和didt,減小器件的開關(guān)損耗。,減小器件的開關(guān)損耗。RCD緩沖電路中,各元件的作用是:開通時(shí),緩沖電路中,各元件的作用是:開通時(shí),Cs

9、經(jīng)Rs放電,放電,Rs起到限制放電起到限制放電電流的作用;關(guān)斷時(shí),負(fù)載電流經(jīng)電流的作用;關(guān)斷時(shí),負(fù)載電流經(jīng)VDs從Cs分流,使分流,使dudt減小,抑制過電壓。減小,抑制過電壓。9.試說明試說明IGBT、GTR、GTO和電力和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)。各自的優(yōu)缺點(diǎn)。解:對(duì)解:對(duì)IGBT、GTR、GTO和電力和電力MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)的比較如下表:的優(yōu)缺點(diǎn)的比較如下表:器件優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)IGBT開關(guān)速度高,開關(guān)損耗開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具

10、有耐脈沖電流沖小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)功率小壓驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)功率小開關(guān)速度低于電力開關(guān)速度低于電力MOSFET電壓,電電壓,電流容量不及流容量不及GTOGTR耐壓高,電流大,開關(guān)耐壓高,電流大,開關(guān)特性好,通流能力強(qiáng),特性好,通流能力強(qiáng),飽和壓降低飽和壓降低開關(guān)速度低,為電開關(guān)速度低,為電流驅(qū)動(dòng),所需驅(qū)動(dòng)流驅(qū)動(dòng),所需驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)

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