模擬電子技術(shù)試卷五套含答案

1、模擬試卷一一、填空(16分)1半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2三極管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)為____偏置，集電結(jié)為_____偏置；工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)為___偏置，集電結(jié)為____偏置。3當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時，放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍，或者是下降了__dB，此時與中頻時相比，放大倍數(shù)的附加相移約為_____。4為提高放大電路輸入電阻應(yīng)引入___反饋；為降低放大電路輸出電阻，應(yīng)引入_____反饋。5乙

2、類功率放大電路中，功放晶體管靜態(tài)電流ICQ=____、靜態(tài)時的電源功耗PDC=______。這類功放的能量轉(zhuǎn)換效率在理想情況下，可達(dá)到_____，但這種功放有______失真。6在串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，引入了——負(fù)反饋；為了正常穩(wěn)壓，調(diào)整管必須工作在____區(qū)域。二、選擇正確答案填空(24分)1在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0V，10V，9.3V，則這只三極管是()。ANPN型硅管BNPN型鍺管CPNP型硅管DPNP型鍺

3、管2某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖１所示，該管為()。AP溝道增強型MOS管BP溝道結(jié)型場效應(yīng)管CN溝道增強型MOS管DN溝道耗盡型MOS管3在圖示2差分放大電路中，若uI=20mV，則電路的()。A差模輸入電壓為10mV，共模輸入電壓為10mV。B差模輸入電壓為10mV，共模輸入電壓為20mV。C差模輸入電壓為20mV，共模輸入電壓為10mV。D差模輸入電壓為20mV，共模輸入電壓為20mV。4通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因

4、為它的()。A輸入電阻高B輸出電阻低C共模抑制比大D電壓放大倍數(shù)大5在圖示電路中Ri為其輸入電阻，RS為常數(shù)，為使下限頻率fL降低，應(yīng)()。A減小C，減小RiB減小C，增大Ri六、分析圖示兩個電路的級間反饋。回答：(12分)1它們是正反饋還是負(fù)反饋？2是直流反饋、交流反饋還是交、支流反饋兼有？3它們屬于何種組態(tài)？4各自的電壓放大倍數(shù)大約是多少？七、電路如圖所示。試回答：1該電路是否滿足正弦波振蕩的相位平衡條件？2如不滿足，應(yīng)如何改動使之