電氣設(shè)備局部放電檢測技術(shù)述評

1、電氣設(shè)備局部放電檢測技術(shù)述評電氣設(shè)備局部放電檢測技術(shù)述評局部放電(partialdisgePD簡稱局放)是絕緣介質(zhì)中局部區(qū)域擊穿導(dǎo)致的放電現(xiàn)象。與擊穿或者閃絡(luò)不同局部放電是絕緣局部區(qū)域的微小擊穿是絕緣劣化的初始現(xiàn)象[12]。電氣設(shè)備絕緣材料多為有機材料如變壓器油、絕緣紙、環(huán)氧等。通常電氣設(shè)備絕緣體所承受的電場分布是不均勻的而電介質(zhì)本身通常也是不均勻的如氣體固體復(fù)合絕緣、液體固體復(fù)合絕緣等。即使是單一的絕緣介質(zhì)在制造、運行過程中也會在介質(zhì)

2、內(nèi)部出現(xiàn)氣泡、雜質(zhì)等其他物質(zhì)這就導(dǎo)致了在絕緣介質(zhì)內(nèi)部或表面會出現(xiàn)高場強區(qū)域一旦這些區(qū)域的場強高到足以引起該區(qū)域的局部擊穿就會出現(xiàn)局部區(qū)域的放電而此時其他區(qū)域仍會保持良好的絕緣性能這就形成了局部放電。它可能產(chǎn)生在固體絕緣孔隙中、液體絕緣氣泡中或不同介電特性的絕緣層間。如果電場強度高于介質(zhì)所具有的特定值也可能發(fā)生在液體或固體絕緣中。局部放電不會立即導(dǎo)致絕緣整體的擊穿但其對絕緣介質(zhì)的危害異常嚴重。一旦介質(zhì)中出現(xiàn)局部放電通過對其周圍絕緣介質(zhì)不斷

3、侵蝕最終會導(dǎo)致整個絕緣系統(tǒng)的失效。局部放電是造成絕緣劣化的主要原因也是絕緣劣化的重要征兆和表現(xiàn)形式與絕緣材料的劣化和絕緣體的擊穿過程密切相關(guān)能有效地反映設(shè)備內(nèi)部絕緣的潛伏性缺陷和故障尤其對突發(fā)性故障的早期發(fā)現(xiàn)比介損測量、色譜分析等方法要有效得多[34]。絕緣介質(zhì)中局部放電現(xiàn)象的研究已經(jīng)有了近80年的歷史[5]。眾多研究者通過試驗研究、理論分析、物理建模等方法研究了局部放電的1局部放電的檢測技術(shù)局部放電的檢測技術(shù)電氣設(shè)備的局部放電測量會在

4、設(shè)備出廠、現(xiàn)場試驗及設(shè)備運行過程中進行對檢測結(jié)果的準確分析需要局部放電的強度、模式及定位3方面信息的準確獲得。檢測技術(shù)是局部放電分析的基礎(chǔ)模式識別給出了導(dǎo)致發(fā)生局放的原因及類型定位則給出了局放源的準確位置而局部放電的強度則給出了當(dāng)前局部放電活動的劇烈程度這3方面信息的結(jié)合才能進行介質(zhì)絕緣狀態(tài)的合理準確評估。局部放電的檢測技術(shù)一直以來都是局部放電研究領(lǐng)域的重點目前常用的方法主要有以下幾種。1.11.1脈沖電流法脈沖電流法脈沖電流法是目前唯

5、一有國際標準的局部放電檢測方法[9]它是通過獲取測量阻抗在耦合電容側(cè)或通過Rogowski線圈從電力設(shè)備的中性點或接地點測取由于局部放電所引起的脈沖電流可以獲得諸如視在放電量、放電相位、放電頻次等信息。傳統(tǒng)的脈沖電流法可分為寬帶和窄帶測量2種寬帶檢測法的下限檢測頻率為30~100kHz之間上限檢測頻率500kHz檢測頻帶寬度為100~400kHz其具有脈沖分辨率高、信息相對豐富的優(yōu)點但信噪比低。窄帶檢測法的頻帶寬度較小一般為9~30kH