第4章常用半導體器件-選擇復習題_第1頁
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1、第4章常用半導體器件選擇復習題1半導體的特性不包括。A.遺傳性B.光敏性C.摻雜性D.熱敏性2半導體中少數(shù)載流子在內電場作用下有規(guī)則的運動稱為。A.漂移運動B.擴散運動C.有序運動D.同步運動3N型半導體中的多數(shù)載流子是。A.自由電子B.電子C.空穴D.光子4P型半導體中的多數(shù)載流子是。A.空穴B.電子C.自由電子D.光子5本征半導體中摻微量三價元素后成為半導體。A.P型B.N型C.復合型D.導電型6本征半導體中摻微量五價元素后成為半導

2、體。A.N型B.P型C.復合型D.導電型7在PN結中由于濃度的差異,空穴和電子都要從濃度高的地方向濃度低的地方運動,這就是。A.擴散運動B.漂移運動C.有序運動D.同步運動8將一個PN結兩端各加一條引線,再封裝起來,就成為一只。A.二極管B.三極管C.電子管D.晶閘管9當外電場與內電場方向相同時,阻擋層,電子不容易通過。A.變厚B.變薄C.消失D.變?yōu)閷Я鲗?0當外電場與內電場方向相反時,阻擋層,電子容易通過。A.變薄B.變厚C.消失D

3、.變?yōu)閷Я鲗?1PN結的基本特性是。A.單向導電性B.半導性C.電流放大性D.絕緣性12晶體三極管內部結構可以分為三個區(qū),以下那個區(qū)不屬于三極管的結構。A.截止區(qū)B.發(fā)射區(qū)C.基區(qū)D.集電區(qū)13穩(wěn)壓二極管一般要串進行工作,以限制過大的電流。A電阻B電容C電感D電源14下圖電路中,設硅二極管管的正向壓降為0V,則Y=。A0VB3VC10VD1.5V15下圖電路中,設硅二極管管的正向壓降為0V,則Y=。A0VB3VC10VD1.5VA.6V

4、B.4.6VC.5.3VD.1.4V24在如圖所示的穩(wěn)壓電路中,穩(wěn)壓管D1與D2相同,其穩(wěn)壓值UZ=5.3V、正向壓降0.7V,輸出電壓U0為。A.10.6VB.1.4VC.5.3VD.0V25在如圖所示的穩(wěn)壓電路中,穩(wěn)壓管D1與D2相同,其穩(wěn)壓值UZ=5.3V、正向壓降0.7V,輸出電壓U0為。A.1.4VB.4.6VC.5.3VD.6V26在如圖所示的穩(wěn)壓電路中,穩(wěn)壓管D1與D2相同,其穩(wěn)壓值UZ=5.3V、正向壓降0.7V,輸出電

5、壓U0為。A.0.7VB.4.6VC.1.4VD.6V27在如圖所示的穩(wěn)壓電路中,穩(wěn)壓管D1與D2相同,其穩(wěn)壓值UZ=5.3V、正向壓降0.7V,輸出電壓U0為。A.5.3VB.4.6VC.1.4VD.6V28二極管的用途不包括。A.放大B.鉗位C.保護D.整流29工作在放大狀態(tài)的NPN三極管,其發(fā)射結電壓UBE和集電結電壓UBC應為。A.UBE0,UBC0,UBC0C.UBE030在如圖所示的二極管電路中,二極管D1導通;D2截止。設

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