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1、電磁屏蔽技術(shù)探討電磁屏蔽技術(shù)探討louis.tian摘要:摘要:討論了電磁屏蔽技術(shù),包括電磁屏蔽的技術(shù)原理、屏蔽材料的性能和應(yīng)用場(chǎng)合、屏蔽技術(shù)的注意事項(xiàng)、屏蔽效能的檢測(cè)以及特殊部位的屏蔽措施。關(guān)鍵詞:關(guān)鍵詞:電磁屏蔽;屏蔽材料;屏蔽效能引言引言近幾年來(lái),隨著電磁兼容工作的開展,電磁屏蔽技術(shù)應(yīng)用得越來(lái)越廣泛。為了對(duì)電磁屏蔽技術(shù)有更深入的理解,應(yīng)當(dāng)對(duì)屏蔽材料的性能和應(yīng)用場(chǎng)合、屏蔽技術(shù)的注意事項(xiàng)、屏蔽效能的檢測(cè)以及特殊部位的屏蔽措施等進(jìn)行更深
2、入的探討。1電磁屏蔽的技術(shù)原理電磁屏蔽的技術(shù)原理電磁屏蔽是電磁兼容技術(shù)的主要措施之一。即用金屬屏蔽材料將電磁干擾源封閉起來(lái),使其外部電磁場(chǎng)強(qiáng)度低于允許值的一種措施;或用金屬屏蔽材料將電磁敏感電路封閉起來(lái),使其內(nèi)部電磁場(chǎng)強(qiáng)度低于允許值的一種措施。1.1靜電屏蔽用完整的金屬屏蔽體將帶正電導(dǎo)體包圍起來(lái),在屏蔽體的內(nèi)側(cè)將感應(yīng)出與帶電導(dǎo)體等量的負(fù)電荷,外側(cè)出現(xiàn)與帶電導(dǎo)體等量的正電荷,如果將金屬屏蔽體接地,則外側(cè)的正電荷將流入大地,外側(cè)將不會(huì)有電場(chǎng)
3、存在,即帶正電導(dǎo)體的電場(chǎng)被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。1.2交變電場(chǎng)屏蔽為降低交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓,可以在干擾源和敏感電路之間設(shè)置導(dǎo)電性好的金屬屏蔽體,并將金屬屏蔽體接地。交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓大小取決于交變電場(chǎng)電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地,就能使交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓變得很小。1.3交變磁場(chǎng)屏蔽電磁場(chǎng)源遠(yuǎn)場(chǎng)中的反射損耗R(dB)為R=168-10log10(μrfσr)(
4、4)2.2電磁波吸收損耗當(dāng)進(jìn)入金屬屏蔽內(nèi)的電磁波在屏蔽金屬內(nèi)傳播時(shí),由于衰減而產(chǎn)生吸收作用。吸收損耗A(dB)為式中:d為屏蔽材料厚度(mm)。2.3多次反射損耗電磁波在屏蔽層間的多次反射損耗B(dB)為式中:Zm為屏蔽金屬的電磁波阻抗;Zw為空氣的電磁波阻抗。當(dāng)A10dB時(shí),一般可以不計(jì)多次反射損耗。2.4屏蔽效能計(jì)算實(shí)例場(chǎng)源距離不同材料的屏蔽體(厚度0.254mm)30cm遠(yuǎn)的屏蔽效能(dB)計(jì)算結(jié)果見表1。表1中近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)的分界點(diǎn)
5、為λ2π,λ為電磁場(chǎng)的波長(zhǎng)。表1場(chǎng)源距離不同材料的屏蔽體(厚度場(chǎng)源距離不同材料的屏蔽體(厚度0.254mm)30cm遠(yuǎn)的屏蔽效能遠(yuǎn)的屏蔽效能dB銅鐵鋁頻率Hz磁場(chǎng)近場(chǎng)電場(chǎng)近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)磁場(chǎng)近場(chǎng)電場(chǎng)近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)磁場(chǎng)近場(chǎng)電場(chǎng)近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)603.46空空3.22空空空空空1k24.89空空14.66空空空空空10k44.92212.73128.7351.50217.50134.00空空空150k69.40190.20130.40188.0308.0248.
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