國家標準《非本征半導體材料導電類型測試方法》（任務落實）

1、1國家標準國家標準《非本征半導體材料導電類型測試方法非本征半導體材料導電類型測試方法》（送審稿）編制說明（送審稿）編制說明一、工作簡況1、項目背景和立項意義導電類型是半導體材料的基本電學參數(shù)。在本征半導體中添加施主或受主物質(通常稱為摻雜物)，通過施主型雜質解離向導帶注入電子或受主型雜質俘獲價帶電子產生的自由載流子，使本征半導體產生額外的電導，成為非本征半導體。非本征半導體由于添加施主型雜質或受主型雜質分別成為N型半導體或P型半導體。在

2、半導體材料的生產過程中，非本征半導體導電類型的測定對半導體設備的制造及研究和發(fā)展具有重要的意義。隨著半導體材料產業(yè)的飛速發(fā)展，非本征半導體材料導電類型測試方法近年來也在不斷改進，原有標準GBT15501997已經不能充分適應目前半導體材料產業(yè)發(fā)展的需要，因此需要對原有標準進行修訂。本標準主要參照SEMIMF421105(0611)對國家標準GBT15501997進行修訂，進一步完善非本征半導體材料導電類型的測試方法。鑒于半導體晶片做得越

3、來越薄（供太陽能電池用的硅片厚度已經達到160~180μm），原有標準GBT15501997中的三探針法及冷熱探針法等測量導電類型的方法極易引起晶片損傷，也無法適應現(xiàn)代化晶片自動分選的要求，本標準在修訂時增加了表面光電壓法測試非本征半導體材料導電類型的方法。本標準修訂后擴展了原標準的適用范圍，有較強的適用性，將更為完整、先進，更好地滿足半導體材料產業(yè)發(fā)展的需要。2、任務來源2015年8月，根據(jù)《國家標準委關于下達2015年第二批國家標準

4、制修訂計劃的通知》（國標委綜合[2015]52號）的要求，《非本征半導體材料導電類型測試方法》國家標準的修訂任務由樂山市產品質量監(jiān)督檢驗所負責，計劃號為20151793T469，任務完成時間為2015年～2017年。3、項目承擔單位概況樂山市產品質量監(jiān)督檢驗所是四川省樂山市質量技術監(jiān)督局直屬質檢技術機構，是依據(jù)《中華人民共和國標準化法》和《中華人民共和國產品質量法》設置的法定檢驗機構，于1989年按照《計量法》規(guī)定首次通過計量認證和實驗

5、室審查認可。該所現(xiàn)有實驗室面積約23000平方米，擁有價值超過8000萬元的檢驗檢測設備600多臺套，能開展1000多項產品、3340個技術參數(shù)的檢測。樂山市產品質量監(jiān)督檢驗所所屬國家硅產品質量監(jiān)督檢驗中心（四川）現(xiàn)有工作人3嵋半導體材料研究所補充了一組方法E測試導電類型的試驗數(shù)據(jù)。根據(jù)意見回函及補充的試驗數(shù)據(jù)，標準編制組對征求意見稿進行認真討論研究，并于2016年8月18日完成預審稿的編寫工作。2016年9月8日在新疆維吾爾自治區(qū)昌吉

6、市召開《非本征半導體材料導電類型測試方法》國家標準第二次工作會（預審會）上，與會專家對標準預審稿進行了充分的討論，提出了修改意見。具體意見見意見匯總處理表（提出單位“預審會”）。根據(jù)2016年9月8日標準預審會提出的修改意見，標準編制組對《非本征半導體材料導電類型測試方法》預審稿進行仔細修改，并于2016年10月26日發(fā)給相關單位再次征求意見，先后共收到意見建議11條。根據(jù)意見建議，標準編制組在對標準稿件進行認真的討論修改，于2017年

7、2月22日完成送審稿的編寫工作。二、標準編制原則和標準主要內容1、編制原則1）適用性原則：根據(jù)國內半導體材料生產和下游使用廠商的具體情況，以應用單位對非本征半導體材料導電類型的檢測需求為主要依據(jù)進行編制修訂。標準力求做到合理、實用，能滿足半導體行業(yè)對非本征半導體材料導電類型檢測的要求。2）科學性原則：實驗結果具有可靠性，標準規(guī)定的檢測方法在同一實驗室檢測結果具有長期穩(wěn)定性，不同實驗室之間的檢測結果具有一致性。標準能積極有效地規(guī)范非本征半

8、導體材料導電類型的分析方法，也能滿足不同行業(yè)以及國內外進出口貿易市場對半導體中非本征半導體材料導電類型分析的需求。3）規(guī)范性原則：標準在格式上嚴格按照GBT1.12009《標準化工作導則第1部分：標準的結構和編寫規(guī)則》的要求進行編寫。2、標準主要內容及確定依據(jù)（需補充）本標準利用熱電勢、整流、表面光電壓等方法來測定非本征半導體材料的導電類型，適用于非本征半導體材料導電類型的測定。主要修訂內容：標準參照SEMIMF421105(0611)