微波單片專用集成電路設(shè)計(jì).pdf

1、本文描述研究項(xiàng)目的工作原理及組成框圖，論述了各單元電路的設(shè)計(jì)方法，給出了MMIC電路的拓?fù)浣Y(jié)果及測(cè)試結(jié)果，分析了系統(tǒng)集成工藝、結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法并給出系統(tǒng)集成后的測(cè)試結(jié)果。
　　在本文中，采用GaAs PHEMT工藝研制出MMIC低噪聲放大器、有源上混頻放大器和有源下混頻放大器。MMIC低噪聲放大器工作頻帶寬、噪聲低、平坦度好、功耗小，電源電壓僅需3V。MMIC有源上混頻放大器、有源下混頻放大器采用差分對(duì)本振和共柵射頻形式，并將補(bǔ)償放大

2、器與混頻器結(jié)合在一起，具有較大的變頻增益、高的隔離度、一致性好、可靠性高。
　　采用SiGe BiCMOS工藝研制出雷達(dá)中頻接收機(jī)芯片。該芯片內(nèi)部包括：LNA低噪聲放大器、鏡像抑制混頻器、VGA、PA功率放大器、峰值檢測(cè)電路。實(shí)現(xiàn)了單片大規(guī)模、高密度集成。
　　在專用芯片設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，進(jìn)行電訊、結(jié)構(gòu)和工藝集成一體化設(shè)計(jì)，應(yīng)用電磁兼容設(shè)計(jì)、寬帶匹配設(shè)計(jì)、垂直過渡設(shè)計(jì)、多層基板和MCM組裝技術(shù)，采用新型的IC器件式封裝，研制出輕小