29597.苯胺綠聚合物極化子的高壓特性

1、四川師范大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明：所導(dǎo)交學(xué)位論文墜鏨!i生遼霪孟縐孟!近出函鑫盈絲坦2，是本人在導(dǎo)師亟!!i強(qiáng)指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品或成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。本人承諾：已提交的學(xué)位論文電子版與論文紙本的內(nèi)容一致。如因不符而引起的學(xué)術(shù)聲譽(yù)上的損失由本人自負(fù)。’學(xué)位論文

2、作者：t司亥留NJ簽字日期：歷f譬年歲月夕9日四川師范大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本人同意所撰寫(xiě)學(xué)位論文的使用授權(quán)遵照學(xué)校的管理規(guī)定：學(xué)校作為申請(qǐng)學(xué)位的條件之一，學(xué)位論文著作權(quán)擁有者須授權(quán)所在大學(xué)擁有學(xué)位論文的部分使用權(quán)，即：1)已獲學(xué)位的研究生必須按學(xué)校規(guī)定提交印刷版和電子版學(xué)位論文，可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)供檢索；2)為教學(xué)、科研和學(xué)術(shù)交流目的，學(xué)?？梢詫⒐_(kāi)的學(xué)位論文或解密后的學(xué)位論文作為資料在圖書(shū)館、資料室等場(chǎng)

3、所或在有關(guān)網(wǎng)絡(luò)上供閱讀、瀏覽。本人授權(quán)萬(wàn)方數(shù)據(jù)電子出版社將本學(xué)位論文收錄到《中國(guó)學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù)》，并通過(guò)網(wǎng)絡(luò)向社會(huì)公眾提供信息服務(wù)。同意按相關(guān)規(guī)定享受相關(guān)權(quán)益。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書(shū))學(xué)位論文作者簽名：簽字日期：伽fy年歲月扣日導(dǎo)師簽名：友川房廣一簽字日期：礎(chǔ)1牛年廠月；。日四川師范大學(xué)碩士學(xué)位論文Polaronintheemeraldine—basepolymerunderhiglapressureMajior：Co

4、ndensedMatterPhysicsPostgraduate：ZhouHongyuSupervisor：LiuJieAbstractWbreportatheoreticalstudyonthegeometricandtheelectronicstructureofapolaronintheemeraldinebasepolymerunderpressure，onthebasisofanextendedGinderEpsteinmod

5、elPolaronlevelswerefoundinthebandgapbond1engthandtheringtorsionanglerelaxationinvolved19sites，formaholepolamnwithspinThespectralabso恥bnofthepolaronconsistentwiththeexperimentalresultsOurtheorysupporttheconductingmechanis

6、mofpolaronsinthepolymerThroughthenumericalsimulationofpressureabngthedirectionperpendiculartothecha迅westudye位ctsofthepressureatroomtemperaturewhichcould1cadtoanincreaseinconductivityWbf01md：polaronrelaxasionwasweakenupto

7、disappearandtheoriginallocalchargeteIldedtodistr而uteontheWholechain；BecauseofthepressureexcitationenergygotbwerSOthatcomentmtionofcarriersgothigherUPto12ordersofmagnitudeInfactwemetasemiconductormetaltransitionOurcriticp

8、ressmewas1376GPaUponthepressure，therewereelectronictransitioasfromthetopofthevalencebandtothebottomoftheCOnductionba耐，thereticalpeal【ofabsorptionWaSat05eVwhichwouldbespectrumevidenceforthesemiconductormetaltransitioILTl鷙

9、nwemademoleculardymmicalsimulatioasformobilityoftheholepolarorLTheresultsshowedthat：WiththeincreaseofthepressurethemobilityappearstoincreaseafterthefirstreducethephemmenonasimilarchangetrendofquadraticfimetionbutalwaysIm

10、iI吐ainmetallikecharacteristicshighpressureleadtocarrierconcentrationreached10cm’thatmadeanelectricalCOI訂uctivityoflO7ScmlThesattratedpressureisfoundat1376GPa0urcalculatedresultswereconsistentwiththeexperimemalobservasion