25440.碳納米管與納米tio2薄膜的制備及碳納米管薄膜在電化學(xué)分析中的應(yīng)用

1、學(xué)校代碼：!Q12魚(yú)分類(lèi)號(hào)：論文題目學(xué)號(hào)：三!!QZQ!Q編號(hào)：——碳納米管與納米Ti02薄膜的制備及碳納米管薄膜在電化學(xué)分析中的應(yīng)用學(xué)院：化學(xué)化工學(xué)院專(zhuān)業(yè)：化學(xué)研究方向：納米材料與電分析化學(xué)姓名：鮑志娟指導(dǎo)教師：狄曉威副教授田福利教授2014年4月30日內(nèi)蒙古大學(xué)碩士論文碳納米管與納米Ti02薄膜的制備及碳納米管薄膜在電化學(xué)分析中的應(yīng)用摘要本文分別探究了電解質(zhì)濃度、碳納米管與納米二氧化鈦濃度、電泳沉積(EPD)電壓、電泳沉積時(shí)間對(duì)薄膜

2、表面形貌的影響。采用連續(xù)電泳沉積與電泳共沉積制備了碳納米管與納米Ti02復(fù)合薄膜。運(yùn)用CNT／ITO電極制備了一種新型伏安傳感器并用于檢測(cè)乙基麥芽酚。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：(1)當(dāng)電解質(zhì)濃度為0090g／L，碳納米管濃度為O104g／L，電泳沉積電壓為90V，電泳沉積時(shí)間為120S時(shí)，電泳沉積的碳納米管薄膜質(zhì)量較好。當(dāng)電解質(zhì)濃度為O204g／L，納米二氧化鈦濃度為201g／L，電泳沉積電壓為110V，電泳沉積時(shí)間為120S時(shí)，電泳沉積的納米二氧

3、化鈦薄膜質(zhì)量較好。首先沉積碳納米管得到的連續(xù)電泳沉積復(fù)合薄膜比首先沉積納米二氧化鈦的復(fù)合薄膜的界面區(qū)域明顯。電泳共沉積制備碳納米管與納米二氧化鈦復(fù)合薄膜時(shí)，當(dāng)體積比為1：4、1：2的CNT與Ti02的鍍膜分散均勻，體積比為10：1、1：1的鍍膜的納米顆粒并沒(méi)有顯示出良好的分布。體積比為1：4、1：2的CNT與Ti02的鍍膜在整個(gè)厚度內(nèi)分布均勻且孔隙較多，體積比為10：1、1：1的鍍膜比較稀疏且表面有很多團(tuán)聚。(2)運(yùn)用CNT／ITO電極