相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)與工藝研究.pdf

1、微處理器的速度按摩爾定律向前推進(jìn)，也要求計(jì)算機(jī)體系中的重要組成部分——存儲(chǔ)器的性能高速發(fā)展與之匹配。目前主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器均無(wú)法滿足人們對(duì)未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)品的要求，探尋一種具有理想性能的非易失性的下一代存儲(chǔ)器是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。相變存儲(chǔ)器（PCRAM）因具有密度高、壽命長(zhǎng)、低功耗、擦寫(xiě)速度快、擦寫(xiě)次數(shù)高、抗輻射、可多級(jí)存儲(chǔ)、工藝簡(jiǎn)單、成本低等顯著優(yōu)勢(shì)成為最具潛力的競(jìng)爭(zhēng)者。
　　 近年來(lái)相變存儲(chǔ)器的研究取得了一些突破性的進(jìn)展，但是仍有一些

2、阻礙其大規(guī)模產(chǎn)品化的問(wèn)題亟待解決，其中最重要的問(wèn)題是工作電流和芯片功耗較大。如何降低工作電流和芯片寫(xiě)入功耗是當(dāng)前國(guó)內(nèi)外研究的重點(diǎn)，也是本文重點(diǎn)探討解決的問(wèn)題。
　　 本文設(shè)計(jì)一種相變存儲(chǔ)器功能芯片控制電路，該控制電路能實(shí)現(xiàn)相變存儲(chǔ)器的邏輯控制、譯碼、寫(xiě)入、讀出及控制選擇等功能；從存儲(chǔ)單元器件結(jié)構(gòu)、材料性能、熱絕緣環(huán)境、器件尺寸大小等幾個(gè)方面研究了影響存儲(chǔ)單元寫(xiě)入電流和功耗的因素及其影響方式，探討并總結(jié)了相變存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)思路