MOS器件ESD特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著集成電路的發(fā)展和集成度的不斷提高，工藝線寬的縮小使得ESD保護(hù)模塊的設(shè)計(jì)面臨更多挑戰(zhàn)。在這種條件下，深入理解保護(hù)器件的物理電學(xué)特性以及結(jié)構(gòu)和工藝的變化對(duì)其ESD性能的影響成為必要。TCAD技術(shù)的引入將有效的解決這一問(wèn)題：使用TCAD模擬器件的ESD特性以輔助電路的ESD結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將極大的縮短芯片研發(fā)周期且節(jié)約成本。 論文在Synopsys TCAD Sentaurus仿真平臺(tái)上，使用等效TLP ESD脈沖方法分別模擬研究了體

2、硅工藝下高壓和低壓柵接地NMOS器件在ESD應(yīng)力下的物理電學(xué)特性及其熱特性，并研究得出上升時(shí)間和電流大小不同的ESD脈沖對(duì)gg-NLDMOS瞬態(tài)特性的影響。在此基礎(chǔ)上，文章分析得出了柵長(zhǎng)、柵至接觸孔間距等器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化對(duì)低壓gg-NMOS失效電流和寄生管增益的影響；同時(shí)模擬分析了上述結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化對(duì)高壓gg-NLDMOS觸發(fā)電壓和最高晶格溫度的影響。最后，改變器件的各項(xiàng)結(jié)構(gòu)尺寸，使用正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法，優(yōu)化了0．5μm100V CD

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